[发明专利]体声波滤波器及其制作方法、通讯装置有效
申请号: | 202210335503.9 | 申请日: | 2022-04-01 |
公开(公告)号: | CN114499445B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 深圳新声半导体有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H3/02;H03H9/05;H03H9/10;H03H9/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒;陈家乐 |
地址: | 518131 广东省深圳市龙华区民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 滤波器 及其 制作方法 通讯 装置 | ||
1.一种体声波滤波器,其特征在于,包括:
第一滤波器基板,包括第一衬底基板和位于所述第一衬底基板上的第一谐振器、第一电极焊盘和第一辅助焊盘;以及
第二滤波器基板,包括第二衬底基板和位于所述第二衬底基板上的第二谐振器、第二电极焊盘和第二辅助焊盘,
其中,所述第一滤波器基板与所述第二滤波器基板相对设置,以在所述第一滤波器基板和所述第二滤波器基板之间形成空腔,所述第一电极焊盘和所述第二辅助焊盘接触设置,所述第二电极焊盘和所述第一辅助焊盘接触设置,
所述第一电极焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板远离所述第二衬底基板的第一背面之间的距离与所述第二辅助焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板远离所述第一衬底基板的第二背面的距离之和大于所述第一谐振器远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的所述第一背面之间的第一距离和所述第二谐振器远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面之间的第二距离之和,
所述第二电极焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面之间的距离与所述第一辅助焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的所述第一背面之间的距离之和大于所述第一距离和所述第二距离之和,
所述第一谐振器包括第一压电层,第一上电极和第一下电极,所述第一衬底基板包括第一凹槽,所述第一凹槽从所述第一衬底基板靠近第二衬底基板的表面凹入第一衬底基板,
所述第一压电层横跨所述第一凹槽,所述第一下电极位于所述第一压电层靠近所述第一衬底基板的一侧,所述第一上电极位于所述第一压电层远离所述第一下电极的一侧,所述第一下电极位于所述第一凹槽内。
2.根据权利要求1所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一压电层整层设置在所述第一衬底基板上,并与所述第一衬底基板接触设置,所述第一电极焊盘和所述第一辅助焊盘均设置在所述第一压电层远离所述第一衬底基板的一侧,所述第一压电层在所述第一衬底基板上的正投影与所述第一电极焊盘和所述第一辅助焊盘在所述第一衬底基板上的正投影交叠。
3.根据权利要求1所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一电极焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的所述第一背面的距离与所述第一辅助焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的第一背面的距离均大于所述第一距离。
4.根据权利要求3所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一电极焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的所述第一背面的距离与所述第一辅助焊盘远离所述第一衬底基板的表面与所述第一衬底基板的所述第一背面的距离相等。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第二电极焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面的距离与所述第二辅助焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面的距离均大于所述第二距离。
6.根据权利要求5所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第二电极焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面的距离与所述第二辅助焊盘远离所述第二衬底基板的表面与所述第二衬底基板的所述第二背面的距离相等。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一电极焊盘包括第一子电极层和第二子电极层,所述第二子电极层位于所述第一子电极层远离所述第一衬底基板的一侧,所述第一子电极层与所述第一衬底基板或所述第一压电层的粘附性能大于所述第二子电极层与所述第一衬底基板或所述第一压电层的粘附性能,所述第二子电极层的键合性能大于所述第一子电极层的键合性能。
8.根据权利要求7所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一电极焊盘的厚度和所述第一辅助焊盘的厚度均大于所述第一上电极的厚度。
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