[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体层上形成具有第一窗口的光刻胶层；

在所述第一窗口内的半导体层上蒸镀形成关键层金属；

在所述光刻胶层上通过倾角蒸镀形成具有第二窗口的第一介质层，所述第二窗口位于所述第一窗口的正上方且与所述第一窗口连通形成第三窗口，所述第二窗口的开窗面积小于所述第一窗口的开窗面积；

在所述第三窗口内的关键层金属上蒸镀形成第一上层金属以得到叠层金属，其中，所述叠层金属具有相对的第一侧和第二侧，所述第一上层金属和所述关键层金属位于所述第一侧的两边缘和/或所述第二侧的两边缘之间具有第一预设间距。

2.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，在所述第三窗口内的关键层金属上蒸镀形成第一上层金属以得到叠层金属之后，所述方法还包括：

在所述第一介质层上通过倾角蒸镀形成具有第四窗口的第二介质层，所述第四窗口位于所述第二窗口的正上方且与所述第三窗口连通形成第五窗口，所述第四窗口的开窗面积小于所述第二窗口的开窗面积；

在所述第五窗口内的第一上层金属上蒸镀形成第二上层金属，所述第二上层金属和所述第一上层金属位于所述第一侧的两边缘和/或所述第二侧的两边缘之间具有第二预设间距。

3.如权利要求2所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述第一预设间距和/或所述第二预设间距为0.07μm至0.1μm。

4.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述第一介质层包括层叠的第一子层和第二子层，所述在所述光刻胶层上通过倾角蒸镀形成具有第二窗口的第一介质层包括：

在所述光刻胶层上通过第一次倾角蒸镀形成具有窗口的第一子层；

在所述第一子层上通过第二次倾角蒸镀形成具有窗口的第二子层，所述第一子层的窗口与所述第二子层的窗口连通形成所述第二窗口，所述第一次倾角蒸镀的原子入射方向沿顺时针方向转动至水平方向所需的角度为钝角，所述第二次倾角蒸镀的原子入射方向沿顺时针方向转动至所述水平方向所需的角度为锐角。

5.如权利要求4所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述第一次倾角蒸镀的原子入射方向和/或所述第二次倾角蒸镀的原子入射方向与所述半导体层厚度方向的夹角为10°至20°。

6.如权利要求1至5任一项所述的半导体器件制备方法，其特征在于， 所述在所述第一窗口内的半导体层上蒸镀形成关键层金属包括：

在所述第一窗口内的半导体层上沿平行所述半导体层厚度方向蒸镀形成所述关键层金属。

7.如权利要求1至5任一项所述的半导体器件制备方法，其特征在于， 所述在所述第三窗口内的关键层金属上蒸镀形成第一上层金属包括：

在所述第三窗口内的关键层金属上沿平行所述半导体层厚度方向蒸镀形成所述第一上层金属。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体层和设置于所述半导体层上的叠层金属，所述叠层金属包括依次设置于所述半导体层上的关键层金属和第一上层金属，所述叠层金属具有相对的第一侧和第二侧，所述第一上层金属在所述半导体层的正投影位于所述关键层金属在所述半导体层的正投影内，且所述第一上层金属和所述关键层金属位于所述第一侧的两边缘和/或所述第二侧的两边缘之间具有第一预设间距。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设置于所述第一上层金属上的第二上层金属，所述第二上层金属在所述半导体层的正投影位于所述第一上层金属在所述半导体层的正投影内，且所述第二上层金属和所述第一上层金属位于所述第一侧的两边缘和/或所述第二侧的两边缘之间具有第二预设间距。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一预设间距和/或所述第二预设间距为0.07μm至0.1μm。