[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

说明书

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：先在半导体层上蒸镀形成关键层金属，然后利用倾角蒸镀的形式使得窗口内缩，接着在关键层金属上蒸镀形成第一上层金属得到叠层金属，使得第一上层金属与关键层金属的相对两侧的边缘之间具有第一预设间距。如此，可以使得关键层金属的边缘与半导体层能够充分进行合金化，提高合金反应效率，从而有效降低欧姆接触的电阻。此外，在欧姆金属退火后，还可以使得欧姆金属的边缘起伏较小，较为平整，从而提高器件栅源和栅漏之间的可靠性，增强器件的耐击穿能力。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

半导体器件是用半导体材料作为工作物质的器件，具有小巧、高效、寿命长、易于集成等诸多优点，因而被广泛应用于成像、通信、机械加工等领域。但随着科技的进步，对于半导体器件也有了更高的需求。

对于欧姆金属来讲，通常为了获得较佳的性能，欧姆金属会是多层金属组成的叠层，且为了使得欧姆金属能够与半导体层形成欧姆接触，会进行多层合金化过程，但是由于耦合因素多，例如不同金属的熔点和扩散能力不同，不仅使得欧姆金属的底层与半导体层合金化的效果较差，而且还会导致欧姆金属的边缘呈现明显的起伏，造成了击穿薄弱点集中在退火后欧姆金属突出最大处，易发生电压击穿风险。

发明内容

本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种半导体器件及其制备方法，以解决现有欧姆金属的底层与半导体层合金化的效果较差、且易发生电压击穿风险的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

本申请实施例的一方面，提供一种半导体器件制备方法，方法包括：在半导体层上形成具有第一窗口的光刻胶层；在第一窗口内的半导体层上蒸镀形成关键层金属；在光刻胶层上通过倾角蒸镀形成具有第二窗口的第一介质层，第二窗口位于第一窗口的正上方且与第一窗口连通形成第三窗口，第二窗口的开窗面积小于第一窗口的开窗面积；在第三窗口内的关键层金属上蒸镀形成第一上层金属以得到叠层金属，其中，叠层金属具有相对的第一侧和第二侧，第一上层金属和关键层金属位于第一侧的两边缘和/或第二侧的两边缘之间具有第一预设间距。

可选的，在第三窗口内的关键层金属上蒸镀形成第一上层金属以得到叠层金属之后，方法还包括：在第一介质层上通过倾角蒸镀形成具有第四窗口的第二介质层，第四窗口位于第二窗口的正上方且与第三窗口连通形成第五窗口，第四窗口的开窗面积小于第二窗口的开窗面积；在第五窗口内的第一上层金属上蒸镀形成第二上层金属，第二上层金属和第一上层金属位于第一侧的两边缘和/或第二侧的两边缘之间具有第二预设间距。

可选的，第一预设间距和/或第二预设间距为0.07μm至0.1μm。

可选的，第一介质层包括层叠的第一子层和第二子层，在光刻胶层上通过倾角蒸镀形成具有第二窗口的第一介质层包括：在光刻胶层上通过第一次倾角蒸镀形成具有窗口的第一子层；在第一子层上通过第二次倾角蒸镀形成具有窗口的第二子层，第一子层的窗口与第二子层的窗口连通形成第二窗口，第一次倾角蒸镀的原子入射方向沿顺时针方向转动至水平方向所需的角度为钝角，第二次倾角蒸镀的原子入射方向沿顺时针方向转动至水平方向所需的角度为锐角。

可选的，第一次倾角蒸镀的原子入射方向和/或第二次倾角蒸镀的原子入射方向与半导体层厚度方向的夹角为10°至20°。

可选的， 在第一窗口内的半导体层上蒸镀形成关键层金属包括：在第一窗口内的半导体层上沿平行半导体层厚度方向蒸镀形成关键层金属。

可选的，在第三窗口内的关键层金属上蒸镀形成第一上层金属包括：在第三窗口内的关键层金属上沿平行半导体层厚度方向蒸镀形成第一上层金属。