[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

至少一第一芯片，所述第一芯片包括半导体衬底和在所述衬底上表面上形成的有源层，一个或多个横向金属氧化物半导体(MOS)器件形成于所述第一芯片的所述有源层中；和

至少一第一集成电容器，其设置在所述第一芯片的所述半导体衬底的背面上，所述第一集成电容器包括与所述衬底的所述背面电连接的第一导电层、在所述第一导电层的上表面的至少一部分上形成的绝缘层，以及在所述绝缘层的上表面的至少一部分上形成的第二导电层。

2.根据权利要求1所述的的半导体结构，其中，所述第一集成电容器的第一导电层包括在所述第一芯片的所述半导体衬底的所述背面形成的掺杂区域。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一集成电容器的所述第一导电层包括掺杂了预定的掺杂浓度水平的n型或p型杂质的所述半导体衬底的背面部分，从而降低了所述第一芯片的所述半导体衬底的所述背面部分的电阻率。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一集成电容器的第一导电层包括在所述第一芯片的所述半导体衬底的所述背面形成的金属层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一集成电容器的所述第一和第二导电层由不同的材料形成。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，还至少包括设置在所述第一集成电容器的上表面的第二集成电容器，所述第二集成电容器包括与所述第一集成电容器的所述第二导电层共享的第一导电层、在所述第二集成电容器的所述第一导电层的上表面的至少一部分上形成的绝缘层，以及在所述第二集成电容器的所述绝缘层的上表面的至少一部分上形成的第二导电层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述第二集成电容器的所述绝缘层和第二导电层的宽度小于所述第一集成电容器的所述第二导电层的宽度，以提供与所述第一集成电容器的所述第二导电层的电连接通路。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，还包括相对于所述第一芯片堆叠布置的第二芯片，所述至少第一集成电容器排列在所述第一和第二芯片之间。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述第二芯片包括驱动电路，所述第一芯片包括至少一个功率MOS管，所述至少第一集成电容器电耦合到至少一个所述驱动电路和所述至少一个功率MOS管。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，进一步包括设置在所述第一集成电容器的上表面以及在所述第一和第二芯片之间的至少一个第二集成电容器，所述第一集成电容器与至少一个功率MOS管电耦合，且所述第二集成电容器与所述驱动电路电耦合。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，进一步包括在至少第一集成电容器和所述第二芯片之间形成的用于附接所述第一和第二芯片的管芯附接层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，所述管芯附接层包括导电材料和非导电材料中的至少一种。

13.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述第一和第二芯片堆叠成使得所述第一和第二芯片的背面彼此面对。

14.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述第一和第二芯片堆叠成使得所述第一芯片的背面面对所述第二芯片的正面。

15.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，进一步包括(i)通过所述第一和第二芯片中的至少一个形成的一个或多个通硅孔(Through-Silicon Vias,TSVs)和(ii)线连接中的至少一个，其中所述第一和第二芯片和至少第一集成电容器之间的电连接是利用TSVs和线连接中的至少一个实现的。