[发明专利]一种光阻层移除方法及半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种光阻层移除方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体层，所述半导体层包括衬底，所述衬底包括并排设置的多个类型不同的阱区，且每个所述阱区上包括至少一个有源区，所述衬底上包括并排设置的第一阱区、第二阱区和第三阱区，所述第二阱区位于所述第一阱区和所述第三阱区之间，且所述第一阱区和第三阱区为第一类型阱区，所述第二阱区为第二类型阱区，其中，所述第一类型阱区与第二类型阱区的类型不同；

形成抗反射层于所述半导体层上；

形成光阻层于所述抗反射层上；

蚀刻所述光阻层和所述抗反射层，形成图案化的所述光阻层和所述抗反射层；

以所述光阻层和所述抗反射层为掩膜，向所述半导体层植入离子；以及

移除所述光阻层和所述抗反射层；

其中，所述半导体层包括多晶硅层，在所述第二阱区内，形成光阻层于所述多晶硅层上，且所述光阻层的一侧延伸至所述第一阱区内，所述光阻层的另一侧延伸至所述第三阱区内；

其中，所述光阻层一侧的延伸宽度为第一宽度，所述光阻层另一侧的延伸宽度为第二宽度，其中，所述第一宽度为所述第一阱区宽度的1/5~1/4，所述第二宽度为所述第三阱区宽度的1/5~1/4，且所述第一宽度和所述第二宽度相等。

2.根据权利要求1所述的一种光阻层移除方法，其特征在于，应用于设置在静态随机存取存储器中的多种光阻层布局结构。

3.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底；

所述衬底包括并排设置的多个类型不同的阱区，且每个所述阱区上包括至少一个有源区，所述衬底上包括并排设置的第一阱区、第二阱区和第三阱区，所述第二阱区位于所述第一阱区和所述第三阱区之间，且所述第一阱区和第三阱区为第一类型阱区，所述第二阱区为第二类型阱区，其中，所述第一类型阱区与第二类型阱区的类型不同；

形成多晶硅层于所述有源区上；

在不同的所述阱区内，形成抗反射层于所述多晶硅层上；

形成光阻层于所述抗反射层上；

蚀刻位于不同的所述阱区内的所述光阻层和所述抗反射层；

向所述有源区植入离子；以及

移除所述光阻层和所述抗反射层；

其中，所述半导体器件的制作方法包括：在所述第二阱区内，形成光阻层于所述多晶硅层上，且所述光阻层的一侧延伸至所述第一阱区内，所述光阻层的另一侧延伸至所述第三阱区内，所述光阻层一侧的延伸宽度为第一宽度，所述光阻层另一侧的延伸宽度为第二宽度，其中，所述第一宽度为所述第一阱区宽度的1/5~1/4，所述第二宽度为所述第三阱区宽度的1/5~1/4，且所述第一宽度和所述第二宽度相等。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法还包括：

在形成所述多晶硅层前，在所述衬底上形成多个沟槽隔离结构；以及

在形成所述多晶硅层后，形成抗反射层于所述沟槽隔离结构上与所述多晶硅层上。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在蚀刻光阻层和所述抗反射层时，所述光阻层的宽度与所述抗反射层的宽度相等。

6.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法包括：蚀刻去除位于所述第一阱区内和所述第三阱区内的所述光阻层和所述抗反射层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在蚀刻所述光阻层和所述抗反射层时，减薄所述光阻层至预设厚度。

8.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述抗反射层的厚度为50~100埃。