[发明专利]一种光阻层移除方法及半导体器件的制作方法

说明书

本发明提供一种光阻层移除方法及半导体器件的制作方法，所述光阻层移除方法包括以下步骤：提供一半导体层；形成抗反射层于所述半导体层上；形成光阻层于所述抗反射层上；蚀刻所述光阻层和所述抗反射层，形成图案化的所述光阻层和所述抗反射层；以所述光阻层和所述抗反射层为掩膜，向所述半导体层植入离子；以及移除所述光阻层和所述抗反射层。通过本发明提供的一种光阻层移除方法及半导体器件的制作方法，能够解决光阻残留问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光阻层移除方法及半导体器件的制作方法。

背景技术

静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是一种集成半导体器件，在SRAM的制作过程中，进行N型离子和P型离子植入后或者蚀刻后，需要移除光阻时，在光阻底部会由于拐角结构，出现光阻残留。残留的光阻会影响有源区，从而影响离子植入的效果。且在植入N型离子和P型离子后，在NMOS和PMOS相邻区域会存在交叉扩散。若直接调整光阻层中的特征尺寸，或者调整曝光条件，会使植入区域的特征尺寸产生非预设的增大，使得NMOS和PMOS相邻区域的交叉扩散更加严重，从而影响静态随机存取存储器的电学性能。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光阻层移除方法及半导体器件的制作方法，以减少光阻残留，提升半导体器件的电学性能。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供了一种光阻层移除方法，包括以下步骤：

一种光阻层移除方法，包括以下步骤：

提供一半导体层；

形成抗反射层于所述半导体层上；

形成光阻层于所述抗反射层上；

蚀刻所述光阻层和所述抗反射层，形成图案化的所述光阻层和所述抗反射层；

以所述光阻层和所述抗反射层为掩膜，向所述半导体层植入离子；以及

移除所述光阻层和所述抗反射层。

在本发明一实施例中，应用于设置在静态随机存取存储器中的多种光阻层布局结构。

一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：

提供一衬底；

所述衬底包括并排设置的多个类型不同的阱区，且每个所述阱区内包括至少一个有源区；

形成多晶硅层于所述有源区上；

在不同的所述阱区上，形成抗反射层于所述多晶硅层上；

形成光阻层于所述抗反射层上；

蚀刻位于不同的所述阱区上的所述光阻层和所述抗反射层；

向所述有源区植入离子；以及

移除所述光阻层和所述抗反射层。

在本发明一实施例中，所述半导体器件的制作方法还包括：

在形成所述多晶硅层前，在所述衬底上形成多个沟槽隔离结构；以及

在形成所述多晶硅层后，形成抗反射层于所述沟槽隔离结构上与所述多晶硅层上。

在本发明一实施例中，所述衬底上包括并排设置的第一阱区、第二阱区和第三阱区，所述第二阱区位于所述第一阱区和所述第三阱区之间，且所述第一阱区和第三阱区为第一类型阱区，所述第二阱区为第二类型阱区，其中，所述第一类型阱区与第二类型阱区的类型不同。

在本发明一实施例中，在蚀刻光阻层和所述抗反射层时，所述光阻层的宽度与所述抗反射层的宽度相等。