[发明专利]一种准二维蓝光LED器件的制备方法在审
申请号: | 202210336424.X | 申请日: | 2022-03-31 |
公开(公告)号: | CN114784215A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 白雪;张富俊;张宇;武振南;陆敏;郜艳波 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/54;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人: | 李茂松 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二维 led 器件 制备 方法 | ||
1.一种准二维蓝光LED器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将ITO基底,分别用去离子水、乙醇以及丙酮反复清洗,接着采用紫外臭氧机清洗20分钟;
步骤2:将PEDOT:PSS溶液采用旋转涂布的方式沉积到步骤1中基底的表面,用150℃进行后期退火,将导电聚合物、金属纳米团簇和导电聚合物的混合材料溶于有机试剂后,通过旋转涂布法沉积在基底表面,用150℃进行后期退火;
步骤3:将适量的碘化铅、苯丁基溴化铵和溴化铯溶解到1毫升的DMSO溶液中,形成钙钛矿前体溶液;
步骤4:将适量的步骤3中的钙钛矿前体溶液,滴加到步骤2的基底表面,然后采用旋转涂布的方式制备薄膜,在一定时间下,将150微升反溶剂滴加到钙钛矿薄膜表面,反溶剂为乙酸乙酯、氯苯和甲苯中的一种,从而使薄膜快速结晶,随后将薄膜放到加热台上进行后期的退火结晶;
步骤5:将步骤4获得的薄膜放到蒸镀仪中,蒸镀电子传输层和金属铝电极。
2.根据权利要求1所述的准二维蓝光LED器件的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,导电聚合物为PVK、Poly-TPD、PTAA和TFB中的一种。
3.根据权利要求2所述的准二维蓝光LED器件的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,金属纳米团簇和导电聚合物的混合材料中,金属纳米团簇为油溶性金纳米团簇、油溶性银纳米团簇和油溶性铜纳米团簇中的一种。
4.根据权利要求3所述的准二维蓝光LED器件的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,金属纳米团簇和导电聚合物的混合材料中,金属纳米团簇占混合材料的比例为5%-55%。
5.根据权利要求4所述的准二维蓝光LED器件的制备方法,其特征在于,所述金属纳米团簇用于提升空穴导电性。
6.根据权利要求4所述的准二维蓝光LED器件的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,有机试剂为DMSO、DMF、CB和间二甲苯中的一种。
7.根据权利要求1所述的准二维蓝光LED器件的制备方法,其特征在于,所述步骤5中,电子传输材料为TPBi/LiF、TPBi/Liq、Tmpypb/LiF和Tmpypb/Liq中的一种。
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