[发明专利]一种准二维蓝光LED器件的制备方法

说明书

本发明适用于发光二极管领域，提供了一种准二维蓝光LED器件的制备方法，蓝光准二维LED器件是由准二维钙钛矿薄膜、电荷传输层及金属电极组成，其中准二维钙钛矿薄膜由纯溴基三维钙钛矿加合适长链有机配体构成。本发明在器件制备的过程中，将金属纳米团簇与传统传输层进行混合，调节原有传输层的电学性质，从而实现平衡载流子传输的效果，最终提升了钙钛矿发光器件的性能，具有制备工艺简单和效率高的优点，解决了现有蓝光准二维LED器件效率低的问题。

技术领域

本发明属于发光二极管领域，尤其涉及一种准二维蓝光LED器件的制备方法。

背景技术

准二维金属卤化物钙钛矿材料由于其高光致发光量子产率、可调节的光学带隙、优异的色纯度和低成本的溶液加工性，在发光二极管和显示应用领域具有广阔的前景。

但是目前以钙钛矿材料作为发光层的发光二极管的光电性质仍远低于有机发光二极管。一方面是由于钙钛矿薄膜溶液结晶过程难以控制，造成薄膜结晶质量较差、相分布不均匀，造成过低的能量传输效率，从而产生过多的非辐射复合缺陷；另一方面是没有能级合适的传输层导致载流子注入困难，使得器件中载流子传输不平衡，导致器件的效率低，从而严重制约了钙钛矿薄膜及其设备的产业化应用。对于准二维蓝光LED器件来说，由于蓝光发光带隙大，导致其HOMO能级较深，没有兼具合适迁移率和能级的空穴传输材料一直是困扰准二维蓝光LED器件效率进一步提升的主要原因之一，为此我们提出一种准二维蓝光LED器件的制备方法。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种准二维蓝光LED器件的制备方法，旨在解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种准二维蓝光LED器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：将ITO基底，分别用去离子水、乙醇以及丙酮反复清洗，接着采用紫外臭氧机清洗20分钟；

步骤2：将PEDOT:PSS溶液采用旋转涂布的方式沉积到步骤1中基底的表面，用150℃进行后期退火，将导电聚合物、金属纳米团簇和导电聚合物的混合材料溶于有机试剂后，通过旋转涂布法沉积在基底表面，用150℃进行后期退火；

步骤3：将适量的碘化铅、苯丁基溴化铵和溴化铯溶解到1毫升的DMSO溶液中，形成钙钛矿前体溶液；

步骤4：将适量的步骤3中的钙钛矿前体溶液，滴加到步骤2的基底表面，然后采用旋转涂布的方式制备薄膜，在一定时间下，将150微升反溶剂滴加到钙钛矿薄膜表面，反溶剂为乙酸乙酯、氯苯和甲苯中的一种，从而使薄膜快速结晶，随后将薄膜放到加热台上进行后期的退火结晶；

步骤5：将步骤4获得的薄膜放到蒸镀仪中，蒸镀电子传输层和金属铝电极。

进一步的，所述步骤2中，导电聚合物为PVK、Poly-TPD、PTAA和TFB中的一种。

进一步的，所述步骤2中，金属纳米团簇和导电聚合物的混合材料中，金属纳米团簇为油溶性金纳米团簇、油溶性银纳米团簇和油溶性铜纳米团簇中的一种。

进一步的，所述步骤2中，金属纳米团簇和导电聚合物的混合材料中，金属纳米团簇占混合材料的比例为5％-55％。

进一步的，所述金属纳米团簇用于提升空穴导电性。

进一步的，所述步骤2中，有机试剂为DMSO、DMF、CB和间二甲苯中的一种。

进一步的，所述步骤5中，电子传输材料为TPBi/LiF、TPBi/Liq、Tmpypb/LiF和Tmpypb/Liq中的一种。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：