[发明专利]静电保护SCR器件在审
| 申请号： | 202210336545.4 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114743966A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 范炜盛 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 保护 scr 器件 | ||
1.一种静电保护SCR器件，其特征在于，所述静电保护SCR器件包括底层，所述底层上形成阱区层，所述阱区层上形成掺杂离子层；
所述阱区层包括横向相邻设置的第一导电类型区和第二导电类型区；
所述掺杂离子层包括位于所述第一导电类型区位置上的第一导电类型掺杂A区和第二导电类型掺杂A区，包括位于所述第二导电类型区位置上的第一导电类型掺杂B区和第二导电类型掺杂B区；
所述掺杂离子层还包括跨接在所述第一导电类型区和所述第二导电类型区之间交界处上的第一重掺杂区；
位于所述第一重掺杂区下的第一导电类型区中，或者位于所述第一重掺杂区下的所述第二导电类型区中形成第二重掺杂区；
所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之间交叠接触形成击穿结。
2.如权利要求1所述的静电保护SCR器件，其特征在于，所述第一重掺杂区的导电类型为第一导电类型，所述第二重掺杂区位于靠近所述交界处的所述第二导电类型区的上部；
所述第二重掺杂区的导电类型为第二导电类型。
3.如权利要求1所述的静电保护SCR器件，其特征在于，所述第一重掺杂区的导电类型为第二导电类型，所述第二重掺杂区位于靠近所述交界处的所述第一导电类型区的上部；
所述第二重掺杂区的导电类型为第一导电类型。
4.如权利要求1所述的静电保护SCR器件，其特征在于，所述掺杂离子层中的第一导电类型掺杂A区和第二导电类型掺杂A区之间横向相邻接触设置；
所述掺杂离子层中的第一导电类型掺杂B区和第二导电类型掺杂B区之间横向相邻接触设置。
5.如权利要求1所述的静电保护SCR器件，其特征在于，所述掺杂离子层中的第一导电类型掺杂A区和第二导电类型掺杂A区之间间隔有浅沟槽隔离结构；
所述掺杂离子层中的第一导电类型掺杂B区和第二导电类型掺杂B区之间间隔有浅沟槽隔离结构。
6.如权利要求1所述的静电保护SCR器件，其特征在于，所述第一重掺杂区在横向上相对的两端分别设有浅沟槽隔离结构。
7.如权利要求1所述的静电保护SCR器件，其特征在于，所述第一导电类型掺杂A区和第二导电类型掺杂A区连接电源正极，所述第一导电类型掺杂B区和第二导电类型掺杂B区接地或者连接电源负极。
8.如权利要求1所述的静电保护SCR器件，其特征在于，所述第二导电类型区与所述底层连为一体，在同一工序中制作形成。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
