[发明专利]静电保护SCR器件

说明书

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种静电保护SCR器件。静电保护SCR器件包括底层，底层上形成阱区层，阱区层上形成掺杂离子层；阱区层包括横向相邻设置的第一导电类型区和第二导电类型区；掺杂离子层包括位于第一导电类型区位置上的第一导电类型掺杂A区和第二导电类型掺杂A区，包括位于第二导电类型区位置上的第一导电类型掺杂B区和第二导电类型掺杂B区；掺杂离子层还包括跨接在第一导电类型区和第二导电类型区之间交界处上的第一重掺杂区；位于第一重掺杂区下的第一导电类型区中，或者位于第一重掺杂区下的第二导电类型区中形成第二重掺杂区；第一重掺杂区和第二重掺杂区之间交叠接触形成击穿结。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种静电保护SCR器件。

背景技术

SCR(Silicon Controlled Rectifier，可控硅整流)器件具有非常良好的鲁棒特性，从而仅需要消耗很小一部分芯片面积即可实现较高等级的静电保护需求。但是，SCR结构器件通常具有较高的触发电压，故无法满足先进集成电路的静电保护需求。

相关技术常用的解决方法是在反偏的第一导电类型阱区和第二导电类型衬底之间引入第一导电类型重掺杂区，故SCR器件的击穿结由原先第一导电类型阱区和第二导电类型衬底之间形成的击穿结，变成了由第一导电类型重掺杂区和第二导电类型衬底之间形成的击穿结，重掺杂的第二导电类型衬底能够使得触发电压在一定程度降低。

然而，随着集成电路工艺的不断演进，内部器件的栅氧不断减薄，栅氧的击穿电压不断降低，相关技术已无法满足该器件的静电保护需求。

发明内容

本申请提供了一种静电保护需求，可以解决相关技术中无法满足器件的静电保护需求的问题。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种静电保护SCR器件，所述静电保护SCR器件包括底层，所述底层上形成阱区层，所述阱区层上形成掺杂离子层；

所述阱区层包括横向相邻设置的第一导电类型区和第二导电类型区；

所述掺杂离子层包括位于所述第一导电类型区位置上的第一导电类型掺杂A区和第二导电类型掺杂A区，包括位于所述第二导电类型区位置上的第一导电类型掺杂B区和第二导电类型掺杂B区；

所述掺杂离子层还包括跨接在所述第一导电类型区和所述第二导电类型区之间交界处上的第一重掺杂区；

位于所述第一重掺杂区下的第一导电类型区中，或者位于所述第一重掺杂区下的所述第二导电类型区中形成第二重掺杂区；

所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之间交叠接触形成击穿结。

可选地，所述第一重掺杂区的导电类型为第一导电类型，所述第二重掺杂区位于靠近所述交界处的所述第二导电类型区的上部；

所述第二重掺杂区的导电类型为第二导电类型。

可选地，所述第一重掺杂区的导电类型为第二导电类型，所述第二重掺杂区位于靠近所述交界处的所述第一导电类型区的上部；

所述第二重掺杂区的导电类型为第一导电类型。

可选地，所述掺杂离子层中的第一导电类型掺杂A区和第二导电类型掺杂A区之间横向相邻接触设置；

所述掺杂离子层中的第一导电类型掺杂B区和第二导电类型掺杂B区之间横向相邻接触设置。

可选地，所述掺杂离子层中的第一导电类型掺杂A区和第二导电类型掺杂A区之间间隔有浅沟槽隔离结构；

所述掺杂离子层中的第一导电类型掺杂B区和第二导电类型掺杂B区之间间隔有浅沟槽隔离结构。

可选地，所述第一重掺杂区在横向上相对的两端分别设有浅沟槽隔离结构。