[发明专利]发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置在审
| 申请号： | 202210341732.1 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114724959A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 陈利解;门松明珠;周爱和 | 申请（专利权）人： | 昆山一鼎工业科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/14;B08B13/00 |
| 代理公司： | 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 | 代理人： | 吴霜 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发明 半导体 引线 框架 蚀刻 产品 制造 装置 | ||
1.一种发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置，其特征在于，包括：
依次连通的浸水洗上槽(1)、喷水洗上槽(2)和脱膜机构(3)；
所述浸水洗上槽(1)连通有上水过滤系统(4)，所述上水过滤系统(4)采用水泵输送，所述浸水洗上槽(1)连通有母槽自循环系统(5)；
所述喷水洗上槽(2)包括槽体(21)、设于槽体(21)底部的内子槽(22)和设于槽体(21)上部的上喷管(23)；
所述脱模机构包括与所述喷水洗上槽(2)对接的对接框架(31)、设于对接框架(31)内的转动滚筒(32)和用于驱动转动滚筒(32)转动的转动电机(33)，所述对接框架(31)远离所述喷水洗上槽(2)一侧设置有出料口(34)，所述对接框架(31)内设置有脱膜喷水管(35)。
2.如权利要求1所述的发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置，其特征在于，
所述浸水洗上槽(1)包括依次连通的第一浸水洗槽(11)和第二浸水洗槽(12)。
3.如权利要求2所述的发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置，其特征在于，
所述上水过滤系统(4)包括若干个连通所述浸水洗上槽(1)的上水过滤筒(41)和用于将所述浸水洗上槽(1)内的水通入上水过滤筒(41)的上水水泵(42)。
4.如权利要求3所述的发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置，其特征在于，
所述母槽自循环系统(5)包括过滤母槽(51)和设于过滤母槽(51)上的过滤水泵(52)。
5.如权利要求4所述的发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置，其特征在于，
所述出料口(34)下方设置有膜回收槽(6)。
6.如权利要求5所述的发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置，其特征在于，
所述对接框架(31)内设置有承托机构(7)；
所述承托机构(7)包括设于所述对接框架(31)底部的承接竖板(71)和转动连接于承接竖板(71)上的承托滚轮(72)，所述承托滚轮(72)与所述转动滚筒(32)转动连接。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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