[发明专利]发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置在审
申请号: | 202210341732.1 | 申请日: | 2022-03-29 |
公开(公告)号: | CN114724959A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 陈利解;门松明珠;周爱和 | 申请(专利权)人: | 昆山一鼎工业科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/14;B08B13/00 |
代理公司: | 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 | 代理人: | 吴霜 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发明 半导体 引线 框架 蚀刻 产品 制造 装置 | ||
本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造技术领域,具体涉及发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置,这种发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置包括:依次连通的浸水洗上槽、喷水洗上槽和脱膜机构;浸水洗上槽连通有上水过滤系统,上水过滤系统采用水泵输送,浸水洗上槽连通有母槽自循环系统;喷水洗上槽包括槽体、设于槽体底部的内子槽和设于槽体上部的上喷管;脱模机构包括与喷水洗上槽对接的对接框架、设于对接框架内的转动滚筒和用于驱动转动滚筒转动的转动电机。这种发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置具有通过脱膜装置的喷射浸润、喷射浸渍和喷射冲击,使蚀刻产品附着异物的现象大幅度下降的效果。
技术领域
本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造的技术领域,具体涉及发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置。
背景技术
在半导体引线框架制造技术领域中,用蚀刻技术将金属素材制造加工成多种多样的高科技领域所需的精密半导体电子产品成为目前十分重要的课题。例如,半导体集成电路的重要技术核心,芯片制造技术是高尖端科学技术发展的重要基础及核心组成部分;半导体引线框架作为集成电路的芯片载体,是电子信息产业中重要的基础原材料;因而半导体引线框架制造技术是制造高精密半导体集成电路的重要基础材料。
在现代电子信息产业领域当中,半导体引线框架蚀刻设备是非常重要的基础制造核心技术。目前,半导体引线框架蚀刻制造设备是影响现代集成电路半导体引线框架制造水平的至关重要的核心基础。只有不断提高蚀刻制造设备的工艺水平和制造加工精度,才能不断提高现代电子信息产业中半导体集成电路引线框架的制造技术的持续发展。
然而在使用半导体引线框架蚀刻制造设备的实际工业生产当中,蚀刻后的金属感光膜材料在脱膜工段,存在产品附着异物,致使产品质量不稳定的异常现象。
发明内容
本发明的目的是提供发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置,以解决蚀刻后的金属感光膜材料在脱膜工段,存在产品附着异物,致使产品质量不稳定的技术问题,达到能够通过脱膜装置的喷射浸润、喷射浸渍和喷射冲击,使蚀刻产品附着异物的现象大幅度下降的目的。
为了解决上述技术问题,本发明提供了发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置,包括:
依次连通的浸水洗上槽、喷水洗上槽和脱膜机构;
所述浸水洗上槽连通有上水过滤系统,所述上水过滤系统采用水泵输送,所述浸水洗上槽连通有母槽自循环系统;
所述喷水洗上槽包括槽体、设于槽体底部的内子槽和设于槽体上部的上喷管;
所述脱模机构包括与所述喷水洗上槽对接的对接框架、设于对接框架内的转动滚筒和用于驱动转动滚筒转动的转动电机,所述对接框架远离所述喷水洗上槽一侧设置有出料口,所述对接框架内设置有脱膜喷水管。
进一步的,所述浸水洗上槽包括依次连通的第一浸水洗槽和第二浸水洗槽。
进一步的,所述上水过滤系统包括若干个连通所述浸水洗上槽的上水过滤筒和用于将所述浸水洗上槽内的水通入上水过滤筒的上水水泵。
进一步的,所述母槽自循环系统包括过滤母槽和设于过滤母槽上的过滤水泵。
进一步的,所述出料口下方设置有膜回收槽。
进一步的,所述对接框架内设置有承托机构;
所述承托机构包括设于所述对接框架底部的承接竖板和转动连接于承接竖板上的承托滚轮,所述承托滚轮与所述转动滚筒转动连接。
本发明的有益效果是:
1、通过依次连通的浸水洗上槽、喷水洗上槽和脱膜机构,能够使蚀刻设备
经过脱膜溶液的喷射润湿、喷射浸透、喷射膨胀和喷射冲击,从而除去曝光区域的感光干膜,得到具有产品结构图案的蚀刻铜合金材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造