[发明专利]半导体器件、制作方法及存储器系统

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

第一半导体结构，所述第一半导体结构包括半导体层、位于所述半导体层上的堆叠结构、贯穿所述堆叠结构且与所述半导体层电接触的沟道结构以及贯穿所述堆叠结构且延伸进入所述半导体层的栅线隔离结构；

所述堆叠结构包括沿第一方向交替排布的沟道区和隔离区，所述沟道结构位于所述沟道区内，所述栅线隔离结构位于所述隔离区内；

位于所述隔离区上且与所述半导体层远离所述堆叠结构的一面接触的源极触点，所述源极触点在所述半导体层上的正投影沿所述第一方向延伸的边缘与所述栅线隔离结构在所述半导体层上的正投影沿所述第一方向延伸的边缘不重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极触点和所述栅线隔离结构沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极触点的所述正投影沿所述第二方向延伸的边缘与所述栅线隔离结构的所述正投影沿所述第一方向延伸的边缘部分重叠。

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，所述源极触点在所述第二方向上的长度小于所述栅线隔离结构在所述第二方向上的长度。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极触点的所述正投影在所述栅线隔离结构的所述正投影的内部。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅线隔离结构的所述正投影在所述源极触点的所述正投影的内部。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述堆叠结构包括沿所述第二方向排布的台阶区和核心区；所述半导体层包括位于所述台阶区上的第一半导体层和位于所述核心区上的第二半导体层，所述第一半导体层的厚度小于所述第二半导体层的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

与所述第一半导体结构电连接的第二半导体结构；所述第二半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的外围电路。

9.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

形成第一半导体结构，所述第一半导体结构包括半导体层、形成在所述半导体层上的堆叠结构、贯穿所述堆叠结构且与所述半导体层电接触的沟道结构以及贯穿所述堆叠结构且延伸进入所述半导体层的栅线隔离结构；

所述堆叠结构包括沿第一方向交替排布的沟道区和隔离区，所述沟道结构形成在所述沟道区内，所述栅线隔离结构形成在所述隔离区内；

在所述隔离区上，形成与所述半导体层远离所述堆叠结构的一面接触的源极触点，所述源极触点在所述半导体层上的正投影沿所述第一方向延伸的边缘与所述栅线隔离结构在所述半导体层上的正投影沿所述第一方向延伸的边缘不重叠。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述形成与所述半导体层远离所述堆叠结构的一面接触的源极触点，包括：

在所述半导体层远离所述堆叠结构的一面上形成介质层；

刻蚀所述介质层，以形成源极触点开口，所述源极触点开口暴露所述半导体层；

对所述源极触点开口进行填充以形成与所述半导体层接触的源极触点，所述源极触点和所述栅线隔离结构沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述源极触点的所述正投影沿所述第二方向延伸的边缘与所述栅线隔离结构的所述正投影沿所述第一方向延伸的边缘部分重叠。

12.根据权利要求10或11所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述源极触点在所述第二方向上的长度小于所述栅线隔离结构在所述第二方向上的长度。