[发明专利]半导体线路的布局方法及制备方法

权利要求书

1.一种半导体线路的布局方法，其特征在于，包括：

提供一电路布局，所述电路布局包含：闸极电路、连接所述闸极电路的接触孔、填充接触孔并覆盖在闸极电路上方的导电材料层、多个分布在导电材料层中的隔离槽，用于将导电材料层分断为与接触插塞连接的第一互连线和多个尺寸均匀的第二互连线；

确认接触孔的工艺参数，并根据接触孔的工艺参数确认隔离槽的工艺参数，以使多个隔离槽与多个互连线的尺寸不平均分配；其中，确认隔离槽的工艺参数包括：根据所述接触孔的位置调整位于接触孔第一侧的第一隔离槽，以使得位于接触孔第一侧的第一隔离槽设置在所述接触孔的边缘并扩展至所述接触孔之外，以用于在接触孔的边缘分隔接触孔内的接触插塞和邻近的第二互连线。

2.如权利要求1所述的半导体线路的布局方法，其特征在于，确认隔离槽的工艺参数还包括：根据所述接触孔的尺寸调整接触孔第一侧的第一隔离槽。

3.如权利要求1所述的半导体线路的布局方法，其特征在于，确认隔离槽的工艺参数还包括：调整接触孔第一侧的第一隔离槽的尺寸和位置。

4.如权利要求3所述的半导体线路的布局方法，其特征在于，调整接触孔第一侧的第一隔离槽的位置，以使第一隔离槽的一半尺寸超出所述接触孔之外。

5.如权利要求3所述的半导体线路的布局方法，其特征在于，根据所述接触孔的宽度，调整接触孔第一侧的第一隔离槽的宽度为小于所述接触孔的宽度。

6.如权利要求1所述的半导体线路的布局方法，其特征在于，确认隔离槽的工艺参数还包括：根据接触孔顶部外扩的横向宽度，调整接触孔第一侧的第一隔离槽的宽度，以使第一隔离槽的宽度大于接触孔顶部外扩的横向宽度。

7.如权利要求6所述的半导体线路的布局方法，其特征在于，确认隔离槽的工艺参数还包括：根据接触孔顶部的外扩部分的纵向深度，调整接触孔第一侧的第一隔离槽的深度，以使第一隔离槽的深度更低于所述接触孔的外扩部分的纵向深度。

8.如权利要求1所述的半导体线路的布局方法，其特征在于，与所述接触插塞连接的第一互连线从接触孔的第二侧延伸出，所述第一侧和所述第二侧分别为所述接触孔的相对两侧。

9.如权利要求1所述的半导体线路的布局方法，其特征在于，确认隔离槽的工艺参数还包括：根据第一互连线和第二互连线的设计尺寸，调整第二隔离槽的尺寸，所述第二隔离槽用于分隔相邻的第二互连线。

10.如权利要求1所述的半导体线路的布局方法，其特征在于，调整所述第一隔离槽的宽度为大于所述第二隔离槽的宽度。

11.一种半导体线路的制备方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1-10任一项所述的布局方法得到半导体线路版图，并基于所述半导体线路版图在一衬底上形成半导体线路；

其中，基于所述半导体线路版图制备半导体线路的方法包括：

形成介质层在衬底上，并在所述介质层中形成接触孔；

形成导电材料层，所述导电材料层填充所述接触孔并覆盖所述介质层的顶表面；以及，

形成多个隔离槽在所述导电材料层中，以将所述导电材料层分断为与接触插塞连接的第一互连线和多个尺寸均匀的第二互连线；其中，多个隔离槽包括位于接触孔第一侧的边缘上方的第一隔离槽，所述第一隔离槽还横向扩展至所述介质层中，用于在接触孔第一侧的边缘分隔接触孔内的接触插塞和邻近的互连线。

12.如权利要求11所述的半导体线路的制备方法，其特征在于，还包括：填充绝缘材料层至所述隔离槽中。