[发明专利]半导体线路的布局方法及制备方法

说明书

本发明提供了一种半导体线路的布局方法及制备方法。在该布局方法中，其根据接触孔的工艺参数调整接触孔第一侧的第一隔离槽的工艺参数，以使该第一隔离槽从接触孔横向扩至接触孔之外，从而使得第一隔离槽的隔离范围可以更好的覆盖接触孔的顶角位置，避免了接触孔内的接触插塞和邻近的互连线短接的问题，有效提高针对该电路布局的工艺窗口。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体线路的布局方法及制备方法。

背景技术

半导体领域中，高效率、高密度集成电路的元件数量上升到几千万个，这些数量庞大的元器件的信号集成和传输需要通过半导体线路实现。而随着半导体技术的不断发展，集成电路的小型化也成为趋势，从而要求更小尺寸、更高密度的线路布局，而小尺寸、高密度的线路设计也对加工精度有更高的要求，以确保所形成的半导体线路满足要求。

然而，在实际在加工过程中仍不可避免的会存在工艺误差，针对小尺寸、高密度的线路而言将更容易引起缺陷的产生(例如，线路短路等问题)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体线路的布局方法，以解决电路布局的工艺窗口较小的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体线路的布局方法，包括：提供一电路布局，所述电路布局包含：闸极电路、连接所述闸极电路的接触孔、填充接触孔并覆盖在闸极电路上方的导电材料层、多个分布在导电材料层中的隔离槽，用于将导电材料层分断为与接触插塞连接的第一互连线和多个尺寸均匀的第二互连线；以及，确认接触孔的工艺参数，并根据接触孔的工艺参数确认隔离槽的工艺参数，以使多个隔离槽与多个互连线的尺寸不平均分配。其中，确认隔离槽的工艺参数包括：根据所述接触孔的位置调整位于接触孔第一侧的第一隔离槽，以使得位于接触孔第一侧的第一隔离槽设置在所述接触孔的边缘并扩展至所述接触孔之外，以用于在接触孔的边缘分隔接触孔内的接触插塞和邻近的第二互连线。

可选的，确认隔离槽的工艺参数还包括：根据所述接触孔的尺寸调整接触孔第一侧的第一隔离槽。

可选的，确认隔离槽的工艺参数还包括：调整接触孔第一侧的第一隔离槽的尺寸和位置。

可选的，调整接触孔第一侧的第一隔离槽的位置，以使第一隔离槽的一半尺寸超出所述接触孔之外。

可选的，根据所述接触孔的宽度，调整接触孔第一侧的第一隔离槽的宽度为小于所述接触孔的宽度。

可选的，确认隔离槽的工艺参数还包括：根据接触孔顶部外扩的横向宽度，调整接触孔第一侧的第一隔离槽的宽度，以使第一隔离槽的宽度大于接触孔顶部外扩的横向宽度。

可选的，确认隔离槽的工艺参数还包括：根据接触孔顶部的外扩部分的纵向深度，调整接触孔第一侧的第一隔离槽的深度，以使第一隔离槽的深度更低于所述接触孔的外扩部分的纵向深度。

可选的，与所述接触插塞连接的第一互连线从接触孔的第二侧延伸出，所述第一侧和所述第二侧分别为所述接触孔的相对两侧。

可选的，确认隔离槽的工艺参数还包括：根据第一互连线和第二互连线的设计尺寸，调整第二隔离槽的尺寸，所述第二隔离槽用于分隔相邻的第二互连线。

可选的，调整所述第一隔离槽的宽度为大于所述第二隔离槽的宽度。