[发明专利]互连结构在审
| 申请号： | 202210344628.8 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114975240A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 彭羽筠;林耕竹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种互连结构，包括：
一第一介电层，设置于一或多个装置之上；
一第一导电特征，设置于该第一介电层中；
一第二介电层，设置于该第一介电层及该第一导电特征之上；
一第二导电特征，设置于该第二介电层中，其中该第二导电特征电性连接到该第一导电特征；以及
一散热层，设置于该第一介电层与该第二介电层之间，其中该散热层部分地围绕该第二导电特征并与该第一导电特征及该第二导电特征电性隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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