[发明专利]互连结构

说明书

本公开提出了一种互连结构。在一些实施例中，互连结构包括设置于一或多个装置之上的一第一介电层、设置于第一介电层中的一第一导电特征、设置于第一介电层及第一导电特征之上的一第二介电层以及设置于第二介电层中的一第二导电特征。第二导电特征电性连接到第一导电特征。互连结构进一步包括设置于第一与第二介电层之间的一散热层，且散热层部分地围绕第二导电特征并与第一及第二导电特征电性隔离。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体制造技术，尤其涉及一种互连结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体产业引入具有更高性能及更多功能的新世代集成电路(integratedcircuits，IC)，形成集成电路的元件的密度增加，组件或元件之间的尺寸、大小和间距则缩小。在过去，这种缩小仅受到光光刻定义结构的能力的限制，但具有更小尺寸的装置几何产生了新的限制因素。举例来说，随着装置的尺寸越来越小，局部加热可能对装置性能和可靠性产生负面影响。因此，需要一种改良的互连结构及其形成方法。

发明内容

本公开一些实施例提供一种互连结构，包括一第一介电层、一第一导电特征、一第二介电层、一第二导电特征以及一散热层。第一介电层设置于一或多个装置之上。第一导电特征设置于第一介电层中。第二介电层设置于第一介电层及第一导电特征之上。第二导电特征设置于第二介电层中，其中第二导电特征电性连接到第一导电特征。散热层设置于第一介电层与第二介电层之间，其中散热层部分地围绕第二导电特征并与第一导电特征及第二导电特征电性隔离。

本公开一些实施例提供一种互连结构，包括一第一介电层、一第一导电特征、一第一蚀刻停止层、一散热层、第二蚀刻停止层、一第二介电层以及一第二导电特征。第一介电层设置于一或多个装置之上。第一导电特征设置于第一介电层中。第一蚀刻停止层设置于第一导电特征及第一介电层上。散热层设置于第一蚀刻停止层上。第二蚀刻停止层设置于散热层上。第二介电层设置于第二蚀刻停止层上。第二导电特征设置于第二介电层中，其中第二导电特征电性连接到第一导电特征，且散热层与第一导电特征及第二导电特征电性隔离。

本公开一些实施例提供一种互连结构的形成方法。所述方法包括形成一第一介电层。所述方法也包括在第一介电层中形成一第一导电特征。所述方法也包括在第一介电层及第一导电特征之上形成一散热层。所述方法也包括在散热层中形成一第一开口。所述方法还包括在第一开口中形成一第二介电层。此外，所述方法包括在第二介电层中形成一第二导电特征，其中第二导电特征电性连接到第一导电特征，且散热层与第一导电特征及第二导电特征电性隔离。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图做完整公开。须强调的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A为根据一些实施例的制造一半导体装置结构的各个阶段之一的立体图。

图1B为根据一些实施例的沿图1A的线A-A截取的半导体装置结构的制造阶段的横截面侧视图。

图2为根据一些实施例的制造半导体装置结构的一阶段的横截面侧视图。

图3A至图3K为根据一些实施例的制造一互连结构的各个阶段的横截面侧视图。

图4A及图4B为根据一些实施例的沿图3K中所示的横截面A-A的互连结构的横截面俯视图。

附图标记如下：

100:半导体装置结构

102:基板

108:通道区域

114:隔离区域

122:栅极间隔物

123:鳍片侧壁间隔物

124:源极/漏极区域