[发明专利]一种驱动并联电阻的检测电路在审

专利信息
申请号: 202210349652.0 申请日: 2022-04-02
公开(公告)号: CN114705916A 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 关晶晶;冯林 申请(专利权)人: 上海南芯半导体科技股份有限公司
主分类号: G01R27/14 分类号: G01R27/14
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 杜阳阳
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 驱动 并联 电阻 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种驱动并联电阻的检测电路,其特征在于,包括:运算放大器、外部并联电阻R、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、电阻Rz1、电阻Rz2、电阻Rz3、电阻Rz4以及逻辑电路组;

所述运算放大器的反相输入端与所述MOS管M9的漏极连接,所述运算放大器的输出端分别与所述MOS管M1的栅极、MOS管M6的栅极、MOS管M7的栅极、MOS管M8的栅极连接;所述MOS管M9的源极接地;

所述MOS管M1的源极串联所述电阻Rz1和所述外部并联电阻R之后接地;所述MOS管M1的漏极分别与所述MOS管M2的漏极和栅极连接;所述MOS管M6的源极串联所述电阻Rz2和电阻Ra之后接地,所述MOS管M7的源极串联所述电阻Rz3和电阻Rb之后接地,所述MOS管M8的源极串联所述电阻Rz4和电阻Rc之后接地;所述MOS管M6的漏极与所述MOS管M3的漏极连接;所述MOS管M7的漏极与所述MOS管M4的漏极连接;所述MOS管M8的漏极与所述MOS管M5的漏极连接;

所述MOS管M6的漏极、所述MOS管M7的漏极以及所述MOS管M8的漏极均与所述逻辑电路组连接;

所述MOS管M2栅极还分别与所述MOS管M3的栅极、MOS管M4的栅极、MOS管M5的栅极连接;所述MOS管M2的源极、所述MOS管M3的源极、所述MOS管M4的源极以及所述MOS管M5的源极均连接电源;

所述电阻Rz1和所述外边并联电阻R之间设置有第一开关K1;所述外部并联电阻R并联有功率管寄生电容Cg。

2.根据权利要求1所述的驱动并联电阻的检测电路,其特征在于,所述MOS管M6的漏极还与电容C1的一端连接,所述电容C1的另一端接地;所述电容C1并联有第二开关K2。

3.根据权利要求1所述的驱动并联电阻的检测电路,其特征在于,所述MOS管M7的漏极还与电容C2的一端连接,所述电容C2的另一端接地;所述电容C1并联有第三开关K3。

4.根据权利要求1所述的驱动并联电阻的检测电路,其特征在于,所述MOS管M8的漏极还与电容C3的一端连接,所述电容C4的另一端接地;所述电容C4并联有第四开关K4。

5.根据权利要求1所述的驱动并联电阻的检测电路,其特征在于,所述运算放大器的输出端还与电容C4的一端连接,所述电容C4的另一端接地。

6.根据权利要求1所述的驱动并联电阻的检测电路,其特征在于,所述逻辑电路组包括第一逻辑电路、第二逻辑电路以及第三逻辑电路;所述第一逻辑电路、所述第二逻辑电路以及所述第三逻辑电路均包括与门、跟随器和RS触发器;所述与门的输出端与所述跟随器的输入端连接,所述跟随器的输出端与所述RS触发器的S端连接;所述MOS管M6的漏极与所述第一逻辑电路中的与门的第一输入端连接;所述MOS管M7的漏极与所述第二逻辑电路中的与门的第一输入端连接;所述MOS管M8的漏极与所述第三逻辑电路中的与门的第一输入端连接。

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