[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202210350768.6 | 申请日: | 2022-04-02 |
公开(公告)号: | CN114784061A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 胡凯 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 孔翰 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
一基板,所述基板包括显示区以及与所述显示区相邻的GOA区;
一阵列层,所述阵列层设于所述基板上;
一第一封装层,所述第一封装层设于所述阵列层远离所述基板的一侧,且所述第一封装层位于所述GOA区上;
一第二封装层,所述第二封装层设于所述阵列层远离所述基板的一侧,且所述第二封装层位于所述显示区上;其中,
所述第一封装层的单位面积含氢量小于所述第二封装层的单位面积含氢量。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一封装层为含氢量为零的无机材料。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一封装层的材料为硅氧化合物;所述第二封装层的材料为硅氮化合物或者硅氮氧化合物。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一封装层为含氢量不为零的无机材料。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:一氢阻挡层;所述氢阻挡层设于所述阵列层与所述第一封装层之间,且所述氢阻挡层对应所述GOA区设置。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述氢阻挡层为含氢量为零的非导体材料以及金属材料中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列层至少包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管设于所述GOA区上,所述第二薄膜晶体管设于所述显示区上;所述第一薄膜晶体管与所述第一封装层对应,所述第二薄膜晶体管与所述第二封装层对应。
8.根据权利要求1-7任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:一发光器件层;
所述发光器件层位于所述显示区上,所述发光器件层设于所述阵列层远离所述基板的一侧。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板,所述基板包括显示区以及与所述显示区相邻的GOA区;
在所述基板上制备阵列层;
在所述阵列层远离所述基板的一侧,依次制备位于所述GOA区的第一封装层以及位于所述显示区的第二封装层;其中,
所述第一封装层采用的材料的单位面积含氢量小于所述第二封装层采用的材料的单位面积含氢量。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述依次制备位于所述GOA区的第一封装层以及位于所述显示区的第二封装层的步骤之前,还包括:
在所述阵列层远离所述基板的一侧,制备位于所述GOA区的氢阻挡层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的