[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202210350768.6 | 申请日: | 2022-04-02 |
公开(公告)号: | CN114784061A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 胡凯 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 孔翰 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制备方法。本申请提供的显示面板包括:一基板,所述基板包括显示区以及与所述显示区相邻的GOA区;一阵列层,所述阵列层设于所述基板上;一第一封装层,所述第一封装层设于所述阵列层远离所述基板的一侧,且所述第一封装层位于所述GOA区上;一第二封装层,所述第二封装层设于所述阵列层远离所述基板的一侧,且所述第二封装层位于所述显示区上;其中,所述第一封装层的单位面积含氢量小于所述第二封装层的单位面积含氢量。本申请可以有效解决显示面板内部存在的氢扩散问题,对显示面板进行保护,延长显示面板的使用寿命。
技术领域
本申请涉及显示器件领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是一种在电流驱动下达到发光的自发光器件。OLED显示面板具有色域广、视角宽、低功耗、高分辨率以及适用于挠曲性面板等优点,可广泛应用于智能家电、可穿戴设备等设备。
但是,OLED显示面板中的显示器件易受来自外部的影响,例如空气中的氧气、水等成分会对显示器件造成侵蚀,从而缩短显示面板的使用寿命。因此,通常需要通过薄膜封装工艺将显示器件与空气中的氧气、水等成分隔离起来,以延长显示面板的使用寿命。
然而,一些封装膜层在高温状态或者老化过程中存在氢扩散现象。由于显示面板的显示区有阳极层以及阴极层的遮挡,氢扩散对位于显示区阵列层的薄膜晶体管的影响较小。而在显示区以外,基于没有阳极层和阴极层的遮挡,氢扩散会导致阵列层的薄膜晶体管产生负偏。而严重的氢扩散会使阵列层的阵列基板行驱动(Gate Driver on Array,GOA)电路失效。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法,可以有效解决显示面板内部存在的氢扩散问题,对显示面板进行保护,延长显示面板的使用寿命。
第一方面,本申请提供一种显示面板,包括:
一基板,所述基板包括显示区以及与所述显示区相邻的GOA区;
一阵列层,所述阵列层设于所述基板上;
一第一封装层,所述第一封装层设于所述阵列层远离所述基板的一侧,且所述第一封装层位于所述GOA区上;
一第二封装层,所述第二封装层设于所述阵列层远离所述基板的一侧,且所述第二封装层位于所述显示区上;
其中,所述第一封装层的单位面积含氢量小于所述第二封装层的单位面积含氢量。
在本申请提供的显示面板中,第一封装层为含氢量为零的无机材料。
在本申请提供的显示面板中,第一封装层的材料为硅氧化合物,第二封装层的材料为硅氮化合物或者硅氮氧化合物。
在本申请提供的显示面板中,第一封装层为含氢量不为零的无机材料。
在本申请提供的显示面板中,还包括:一氢阻挡层;
氢阻挡层设于阵列层与第一封装层之间,且氢阻挡层对应GOA区设置。
在本申请提供的显示面板中,氢阻挡层为含氢量为零的非导体材料以及金属材料中的至少一种。
在本申请提供的显示面板中,阵列层至少包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管设于GOA区上,第二薄膜晶体管设于显示区上;第一薄膜晶体管与第一封装层对应,第二薄膜晶体管与第二封装层对应。
在本申请提供的显示面板中,还包括:一发光器件层;
发光器件层位于显示区上,发光器件层设于阵列层远离基板的一侧。
在本申请提供的显示面板中,还包括:一保护层;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210350768.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:独立处理海关报关单数据的装置和方法
- 下一篇:一种显示面板和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的