[发明专利]气浮承载设备

说明书

本发明实施例公开的一种气浮承载设备例如包括：承载层；间隔层，连接在承载层的一侧；气路连接层，连接在间隔层远离承载层的一侧；承载层、间隔层和气路连接层之间形成有用于气浮承载待测件的第一气压通道和第二气压通道；第一气压通道和第二气压通道分别从承载层上远离气路连接层的一侧依次穿过承载层、间隔层和气路连接层，并延伸到气路连接层上远离承载层的一侧。本发明提供的气浮承载设备通过设置第一气路通道和第二气路通道用于对待测件进行气浮承载，以提高气浮承载设备的气浮承载效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种气浮承载设备。

背景技术

对待测件(例如为晶圆)进行检测时，需要首先对其进行承载，气浮承载是目前常用的一种承载方式。气浮承载的承载装置上设有正压出气区域以及排气区域，正压出气区域用于对待测件进行吹浮，然后吹动待测件的气体通过排气区域进行排出。

目前，市面上的气浮承载设备大多通过在正压出气区域设置正压气浮通道、在排气区域设置排气槽来实现对待测件的气浮承载。然而，这种方式会导致气浮承载设备中央区域的气体也需沿着排气槽从承载设备的边缘排出，导致气浮承载设备对待测件不同区域的排气效果不同，从而影响气浮承载设备对待测件的承载效果。此外，当待测件出现翘曲情况时，气浮承载设备对待测件的气浮承载效果会更差。

发明内容

针对现有技术中的至少部分问题和不足，本发明实施例公开了一种气浮承载设备，设置第一气路通道和第二气路通道用于对待测件进行气浮承载，以提高气浮承载设备的气浮承载效果。

一方面，本发明实施例提供的一种气浮承载设备，例如包括：承载层；间隔层，连接在所述承载层的一侧；气路连接层，连接在所述间隔层远离所述承载层的一侧；其中，所述承载层、所述间隔层和所述气路连接层之间形成有用于气浮承载待测件的第一气压通道和第二气压通道；所述第一气压通道和所述第二气压通道分别从所述承载层上远离所述气路连接层的一侧依次穿过所述承载层、所述间隔层和所述气路连接层，并延伸到所述气路连接层上远离所述承载层的一侧。

本实施例提供的气浮承载设备，通过设置第一气路通道和第二气路通道以分别用于对待测件进行送气和排气，以提高气浮承载设备的气浮承载效果。

在本发明的一个实施例中，所述承载层包括远离所述气路连接层的承载面，所述承载面上设置有多个第一气孔、多个第二气孔，所述承载层上邻近所述间隔层且与所述承载面相对的一侧上还设置有第一主导气管和多个第一支导气管，所述多个第一支导气管一一对应连通所述多个第二气孔；所述间隔层与所述承载层形成有第一空腔，所述第一空腔分别连通所述多个第一气孔和所述第一主导气管；所述间隔层上还设置有第一主导气管过孔和多个第一支导气管过孔，所述第一主导气管穿过所述第一主导气管过孔，所述多个第一支导气管穿过所述第一支导气管过孔；所述气路连接层与所述间隔层形成有第二空腔，所述第一支导气管连通所述第二空腔；所述气路连接层上邻近所述间隔层的一侧上还设置有第二主导气管，所述第二主导气管连通所述第二空腔；所述气路连接层还设置有第二主导气管过孔，所述第一主导气管贯穿所述第二主导气管过孔；其中，所述第一气压通道包括所述多个第一气孔、所述第一空腔和所述第一主导气管，所述第二气压通道包括所述多个第二气孔、所述多个第一支导气管、所述第二空腔和所述第二主导气管。

在本发明的一个实施例中，所述承载面的形状为圆形；所述多个第一气孔和所述多个第二气孔在所述承载面上相互交替设置、且形成以所述承载面的轴线为中心呈圆环形分布的多圈气压孔；所述多圈气压孔包括靠近所述承载面边缘的外圈气压孔和靠近所述承载面的轴线的内圈气压孔，所述外圈气压孔的气孔密度大于所述内圈气压孔的气孔密度。