[发明专利]硅片清洗方法及电池在审
| 申请号： | 202210358935.1 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114783857A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 孙林;潘登;陈功兵;杨秀清;闫涛 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（金堂）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘薇 |
| 地址： | 610400 四川省成都市金*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 清洗 方法 电池 | ||
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
将硅片依次进行第一水洗、化学清洗、第二水洗和提拉清洗，得到清洗后的硅片；
所述化学清洗采用的试剂为碱液或酸液，所述酸液的质量浓度为0.4％～5％，所述酸液的组分包含HF；所述碱液的质量浓度为0.3％～0.9％；
所述化学清洗的步骤的温度为20℃～30℃，时间为100s～300s；
所述硅片包括硅基材及包覆于所述硅基材表面的透明导电薄膜。
2.如权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述第一水洗的步骤在超声条件下进行，所述超声的频率为1KHz～2.4KHz。
3.如权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述提拉清洗的步骤中，控制提拉速度为3mm/s～5mm/s。
4.如权利要求1～3任一项所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述提拉清洗的温度为55℃～80℃。
5.如权利要求1～3任一项所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述第一水洗的步骤的温度为20℃～30℃，时间为100s～300s。
6.如权利要求1～3任一项所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述第二水洗的步骤的温度为20℃～30℃，时间为100s～300s。
7.如权利要求1～3任一项所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述酸液的组分还包含HCl。
8.如权利要求1～3任一项所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述碱液中的碱选自碱金属的氢氧化物。
9.如权利要求1～3任一项所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述透明导电薄膜经物理气相沉积法制得。
10.一种电池，其特征在于，所述电池包含如权利要求1～9任一项所述的硅片清洗方法制得的硅片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
