[发明专利]硅片清洗方法及电池

说明书

本发明涉及硅片清洗方法及电池。该硅片清洗方法中，将硅片依次进行第一水洗、化学清洗、第二水洗和提拉清洗，得到清洗后的硅片；所述化学清洗采用的试剂为碱液或酸液，所述酸液的质量浓度为0.4％～5％，所述酸液的组分包含HF，所述碱液的质量浓度为0.3％～0.9％；所述化学清洗的步骤的温度为20℃～30℃，时间为100s～300s；硅片包括硅基材及包覆于所述硅基材表面的透明导电薄膜。该硅片清洗方法能在高效去除镀膜硅片表面附着的粉尘或颗粒的同时，不损伤镀膜硅片。

技术领域

本发明涉及电池技术领域，特别是涉及一种硅片清洗方法及电池。

背景技术

HJT电池简称异质结电池，相比于当前使用的PERC电池，HJT电池具有更高的提升潜力，具有较低的温度系数和低光致衰减，稳定性高，且HJT工艺制备流程相对简化，它以N型单晶硅片作衬底，经制绒、非晶硅薄膜沉积、金属氧化物导电层TCO制备、丝网印刷制作正负电极导出电流等4个步骤，工艺简单。

传统的异质结电池的制备技术中，一般采用PVD工艺制备金属氧化物导电层TCO。PVD是指在真空条件下采用物理方法将固体或液体的原料源气化成气态原子或分子、或部分电离成离子，并通过低压气体或等离子体过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术，采用PVD工艺镀膜的过程中不可避免的会产生原料粉尘和颗粒。

因此，现有技术仍有待改进。

发明内容

基于此，本发明提供一种硅片清洗方法及电池，该硅片清洗方法能高效去除镀膜硅片表面附着的粉尘或颗粒的同时，不损伤镀膜硅片。

本发明的一个方面，提供了一种硅片清洗方法，包括如下步骤：

将硅片依次进行第一水洗、化学清洗和第二水洗，得到清洗后的硅片；

所述化学清洗采用的试剂为碱液或酸液，所述酸液的质量浓度为0.4％～5％，所述酸液的组分包含HF；所述碱液的质量浓度为0.3％～0.9％；

所述化学清洗的步骤的温度为20℃～30℃，时间为100s～300s；

所述硅片包括硅基材及包覆于所述硅基材表面的透明导电薄膜。

在其中一些实施例中，所述第一水洗的步骤在超声条件下进行，所述超声的频率为1KHz～2.4KHz。

在其中一些实施例中，所述提拉清洗的步骤中，控制提拉速度为3mm/s～5mm/s。

在其中一些实施例中，所述提拉清洗的温度为55℃～80℃。

在其中一些实施例中，所述第一水洗的步骤的温度为20℃～30℃，时间为100s～300s。

在其中一些实施例中，所述第二水洗的步骤的温度为20℃～30℃，时间为100s～300s。

在其中一些实施例中，所述酸液的组分还包含HCl。

在其中一些实施例中，所述碱液中的碱选自碱金属的氢氧化物。

在其中一些实施例中，所述透明导电薄膜经物理气相沉积法制得。

本发明的另一方面，提供一种电池，该电池包含如上所述的硅片的清洗方法制得的硅片。