[发明专利]一种晶圆用化学镀镍液及其制备方法

说明书

本发明公开了一种晶圆用化学镀镍液及其制备方法，涉及化学镀镍技术领域。本发明制备的晶圆用化学镀镍液，主要是由硫酸镍、次磷酸钠、4‑戊基邻苯二甲腈、4‑(2‑甲酸基‑3‑丙酸基)邻苯二甲腈、8,9‑二氨基苯并噻唑、水等混合得到；在后续对预处理的晶圆进行化学镀的过程中，形成双亲性酞菁和咪唑；本发明制备的晶圆用化学镀镍液要在光照条件下给预处理的晶圆镀镍；其中，预处理的晶圆是将晶圆进行脱脂、除尘、表面喷砂、酸洗、超声清洗处理得到。本发明制备得到晶圆用化学镀镍液的稳定性较强，且晶圆用化学镀镍液制备的镀镍晶圆的镀层耐腐蚀性、镀层结合力、光亮性较强。

技术领域

本发明涉及化学镀镍技术领域，具体为一种晶圆用化学镀镍液及其制备方法。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。IC产品是现代信息社会离不开的基本原器件，广泛应用在我们生活的各个方面。

在晶圆的封装中再布线和硅通孔技术是非常重要的两个环节，由于集成度的不断发展和提高，芯片叠加不断增加线路的密度也越来越大，线宽线距越来越小。人们使用化学镀镍制程完成再布线制程或硅通孔的部分制程，与此同时，很多技术弊端也在成品制作过程中出现，比如晶圆表面与镀层的结合力差、不耐腐蚀等等，大大限制了晶圆大规模的封装，成为了化学镀镍领域亟待解决的技术问题。

本发明关注到了这一现状，通过制备晶圆用化学镀镍液来解决这一难题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆用化学镀镍液及其制备方法，以解决现有技术中存在的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一种晶圆用化学镀镍液的制备方法，所述晶圆用化学镀镍液的制备方法如下：在84～86℃下，将硫酸镍、次磷酸钠、4-戊基邻苯二甲腈、4-(2-甲酸基-3-丙酸基)邻苯二甲腈、8,9-二氨基苯并噻唑、催化剂1,8-二氮杂二环[5.4.0]十一碳-7-烯和水按质量比1：0.5：2.8：1.3：1.5：0.015：800～1：0.6：2.9：1.4：1.6：0.016：1200混合，以200～300r/min搅拌30～40min，以60～80滴/min滴加质量分数为20～30％的氢氧化钠溶液，调节pH至5～5.4，继续搅拌搅拌30～40min，制备得到晶圆用化学镀镍液。

优选的，所述4-戊基邻苯二甲腈的制备方法如下：在0～5℃下，将4-戊基邻苯二甲酰胺和二甲基甲酰胺混合液按质量比1：10.5～1：11.5混合，以1200～1300r/min搅拌4～6h，随后在常温下静置11～12h，用-4～0℃的去离子水洗涤2～3次，抽滤，用去离子水洗涤1～3次，在10～20Pa、20～30℃下烘2～3h，制备得到4-戊基邻苯二甲腈，进一步的，所述二甲基甲酰胺混合液的制备方法如下：在-4～0℃下，将二氯亚砜、二甲基甲酰胺按质量比1：0.75～1：0.8混合，以1200～1300r/min搅拌1.5～2.5h，制备得到二甲基甲酰胺混合液。

优选的，所述4-戊基邻苯二甲酰胺的制备方法如下：在24～26℃、氩气保护条件下，将4-戊基邻苯二甲酰亚胺和质量分数为26～28％的氨水按质量比1：23～1：24混合，以1200～1300r/min搅拌47～49h，过滤，用去离子水洗涤1～3次，在10～20Pa、20～30℃下烘2～3h，制备得到4-戊基邻苯二甲酰胺，进一步的，所述4-戊基邻苯二甲酰亚胺的制备方法如下：在135～140℃、氩气保护条件下，将4-戊基邻苯二甲酸酐、甲酰胺按质量比1：1.5～1：1.55混合，以1200～1300r/min搅拌回流3～4h后，自然冷却至室温，抽滤，用去离子水洗涤1～3次，在10～20Pa、20～30℃下烘2～3h，制备得到4-戊基邻苯二甲酰亚胺。