[发明专利]一种带有两个周期的高速ROM电路在审
| 申请号： | 202210373334.8 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114895772A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 张一平 | 申请（专利权）人： | 苏州菲斯力芯软件有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/3234 | 分类号： | G06F1/3234;G06F1/3296;G11C7/22 |
| 代理公司： | 苏州吴韵知识产权代理事务所(普通合伙) 32364 | 代理人： | 金伟强 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带有 两个 周期 高速 rom 电路 | ||
1.一种带有两个周期的高速ROM电路，包括中央处理器、存储控制模块、ROM存储器、第一加密模块、RAM存储器、第二加密模块、EEPROM存储器和第三加密模块，其特征在于：所述中央处理器和存储控制模块连接，所述ROM存储器和第一加密模块连接，所述RAM存储器和第二加密模块连接，所述EEPROM存储器和第三加密模块连接；所述ROM存储器、第一加密模块、RAM存储器、第二加密模块、EEPROM存储器和第三加密模块均与中央处理器连接；所述ROM存储器、第一加密模块、RAM存储器、第二加密模块、EEPROM存储器和第三加密模块均与存储控制模块连接；
所述ROM存储器包含两个周期，分别为active mode和low power mode。
2.根据权利要求1所述的一种带有两个周期的高速ROM电路，其特征在于：还包括FLASH存储器和第四加密模块，所述FLASH存储器和第四加密模块连接，所述FLASH存储器分别与中央处理器和存储控制模块连接，所述第四加密模块分别与中央处理器和存储控制模块连接。
3.根据权利要求1所述的一种带有两个周期的高速ROM电路，其特征在于：还包括报警模块，所述报警模块与中央处理器连接。
4.根据权利要求1所述的一种带有两个周期的高速ROM电路，其特征在于：还包括备份模块，所述备份模块与中央处理器连接，所述备份模块与存储控制模块连接。
5.根据权利要求1所述的一种带有两个周期的高速ROM电路，其特征在于：所述ROM存储器设计包括以下步骤：
S1：将原有时序拆分为两个周期，分别为active mode和low power mode；
S2：当进入低功耗模式时，关闭precharge，自动降低BL电位，降低功耗。
6.根据权利要求5所述的一种带有两个周期的高速ROM电路，其特征在于：还包括通过片选信号CE，来控制PRE信号，当CE无效，便进入low power模式。
7.根据权利要求5或6所述的一种带有两个周期的高速ROM电路，其特征在于：还包括增加LPW信号，外部控制PRE信号。当LPW有效时，进入低功耗模式。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州菲斯力芯软件有限公司，未经苏州菲斯力芯软件有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210373334.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
