[发明专利]一种应用于电池管理芯片的MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种应用于电池管理芯片的MOSFET驱动电路，其特征在于，包括驱动电压产生电路、充电器检测电路、负载检测电路、CHG端口系统、DSG端口系统和负载检测端口，所述CHG端口系统为充电MOSFET驱动端口，所述DSG端口系统为放电MOSFET驱动端口；

所述驱动电压产生电路的输出端分别与GHG端口系统和DSG端口系统连接；所述驱动电压产生电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十六MOS管M16、第十七MOS管M17、第十八MOS管M18、第十九MOS管M19、第二十MOS管M20、第二二极管Z2、第三二极管Z3、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3；

所述CHG端口系统包括CHG端口、CHGON信号端口和CHGRDET端口，所述CHG端口为CHGMOSFET驱动电压输出端口；所述CHGON信号端口为控制CHG MOSFET导通的信号的输入端口；所述CHGRDET端口为充电器检测输入端口；所述DSG端口系统包括DSG端口、DSGON信号端口、DSGONP信号端口和DSGOFF端口，所述DSG端口为DSG MOSFET驱动电压输出端口；所述DSGON信号端口为控制DSG MOSFET导通的信号的输入端口；所述DSGONP信号端口为控制DSGMOSFET迅速导通的信号的输入端口；所述DSGOFF端口为控制DSGMOSFET关断的信号的输入端口；

所述第一MOS管M1源端、第二MOS管M2源端、第三MOS管M3源端、第四MOS管M4源端均与AGND端口连接，所述AGND端口为接地端口；所述第一MOS管M1栅端、第二MOS管M2栅端、第三MOS管M3栅端、第四MOS管M4栅端均与IB1端口连接，所述IB1端口为第一偏置电流输入端口；

所述第一MOS管M1漏端与IB1端口连接，所述第二MOS管M2漏端与第五MOS管M5源端连接；所述第三MOS管M3漏端与第六MOS管M6源端连接；所述第四MOS管M4漏端与第七MOS管M7源端连接；

所述第五MOS管M5栅端与CHGON信号端口连接，所述第五MOS管M5漏端与第八MOS管M8源端连接；

所述第六MOS管M6栅端与DSGON信号端口连接，所述第七MOS管M7漏端、第九MOS管M9源端均与第六MOS管M6漏端连接；

所述第七MOS管M7栅端与DSGONP信号端口连接；

所述第八MOS管M8栅端与AVDD信号端口连接，所述AVDD信号端口为输出电压端口，所述第十MOS管M10栅端、第十MOS管M10漏端、第十一MOS管M11栅端均与第八MOS管M8漏端连接；

所述第九MOS管M9栅端与AVDD信号端口连接，所述第十四MOS管M14栅端、第十四MOS管M14漏端、第十五MOS管M15栅端均与第九MOS管M9漏端连接；

所述第十二MOS管M12栅端、第十二MOS管M12漏端、第十三MOS管M13栅端均与第十MOS管M10源端连接；

所述第十六MOS管M16漏端、第十六MOS管M16栅端、第十七MOS管M17栅端均与第十四MOS管M14源端连接；

所述第十二MOS管M12源端、第十三MOS管M13源端、第十六MOS管M16源端和第十七MOS管M17源端均与VPP端口连接，所述VPP端口为电源电压输入端口；

所述第十七MOS管M17漏端与第十五MOS管M15源端连接；

所述第三二极管Z3一端、第一电阻R1一端、第二十MOS管M20栅端均与第十五MOS管M15漏端连接；

所述第二二极管Z2的一端与第三二极管Z3串联，另一端与AGND端口连接；

所述第十八MOS管M18漏端与第一电阻R1的另一端连接，所述第十九MOS管M19栅端、DSGOFF端口均与第十八MOS管M18栅端连接，所述第十九MOS管M19源端、AGND端口均与第十八MOS管M18源端连接；

所述第三电阻R3一端与VPP端口连接，另一端与第二十MOS管M20漏端连接；

所述DSG端口、第二电阻R2一端均与第二十MOS管M20源端连接；

所述第二电阻R2另一端与第十九MOS管M19漏端连接；

所述第十三MOS管M13漏端与第十一MOS管M11源端连接；

所述充电器检测电路用于检测CHG端口系统的电压，所述充电器检测电路包括第二十一MOS管M21、第二十二MOS管M22、第二十三MOS管M23、第二十四MOS管M24、第一二极管Z1、第四电阻R4、第五电阻R5和第一缓冲器Buffer0；

所述CHG端口、第四电阻R4一端均与第十一MOS管M11漏端连接；所述第四电阻R4的另一端与第二十四MOS管M24栅端连接；所述第二十四MOS管M24源端与第二十二MOS管M22漏端连接；所述第二十一MOS管M21源端、VPP端口均与第二十二MOS管M22源端连接；所述第二十一MOS管M21栅端与第二十二MOS管M22栅端连接；所述第二十一MOS管M21漏端与第二十三MOS管M23漏端连接；所述第二十三MOS管M23栅端与AVDD信号端口连接，第二十三MOS管M23源端与IB2端口连接，所述IB2端口为第二偏置电流输入端口；所述第一缓冲器Buffer0输入端、第五电阻R5一端、第一二极管Z1一端均与第二十四MOS管M24漏端连接；所述第一缓冲器Buffer0输出端与CHGRDET端口连接；所述第五电阻R5的另一端、第一二极管Z1的另一端均与AGND端口连接；

所述负载检测电路用于检测负载检测端口的电压；所述负载检测电路包括第二十五MOS管M25、第二十六MOS管M26、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9和第二缓冲器Buffer1；所述负载检测端口包括LOADPAD端口和LOADDET端口；

所述第八电阻R8一端与LOADPAD端口连接，另一端与第二十五MOS管M25漏端连接；所述第二十五MOS管M25栅端与AVDD信号端口连接，所述第六电阻R6一端、第二十六MOS管M26栅端均与第二十五MOS管M25源端连接；所述第七电阻R7一端与第二十六MOS管M26源端连接，另一端分别与第六电阻R6的另一端和AGND端口连接；所述第二缓冲器Buffer1输入端、第九电阻R9一端均与第二十六MOS管M26漏端连接；所述第九电阻R9的另一端与AVDD端口连接；所述第二缓冲器Buffer1输出端与LOADDET端口连接。