[发明专利]一种应用于电池管理芯片的MOSFET驱动电路

说明书

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种应用于电池管理芯片的MOSFET驱动电路，包括驱动电压产生电路、充电器检测电路、负载检测电路、CHG端口系统、DSG端口系统和负载检测端口；所述驱动电压产生电路的输出端分别与GHG端口系统和DSG端口系统连接，所述充电器检测电路用于检测CHG端口系统的电压，所述负载检测电路用于检测负载检测端口的电压。本发明通过快速响应通路，提高了驱动电路的响应速度，同时节省了功耗，并且内部集成了充电器检测和负载检测电路，具有功耗低、响应速度快、集成度高的技术优势，具有广泛的应用前景。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，具体为一种应用于电池管理芯片的MOSFET驱动电路。

背景技术

电池管理芯片通道导通或者关断MOSFET对电池充放电进行管理，同时为了避免电池由于充电过压、放电过流等异常情况，对芯片本身乃至于用户人身安全造成伤害，需要精确且迅速地对MOSFET进行控制。同时检测充电器与负载是否接入也是能够为电池管理芯片自主切换工作模式提供了可能。

随着对于电池管理芯片灵敏度与智能化要求日渐提高，电池管理芯片的MOSFET驱动电路也越发复杂，而传统的MOSFET驱动电路往往需要较大的功耗以及更复杂的电路，同时响应速度很慢，而且不具有充电器检测和负载检测功能，不适应当前市场对于电池管理芯片的要求。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种应用于电池管理芯片的MOSFET驱动电路。

本发明是通过以下技术方案来实现：

一种应用于电池管理芯片的MOSFET驱动电路，包括驱动电压产生电路、充电器检测电路、负载检测电路、CHG端口系统、DSG端口系统和负载检测端口，所述CHG端口系统为充电MOSFET驱动端口，所述DSG端口系统为放电MOSFET驱动端口；

所述驱动电压产生电路的输出端分别与GHG端口系统和DSG端口系统连接，所述驱动电压产生电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十六MOS管M16、第十七MOS管M17、第十八MOS管M18、第十九MOS管M19、第二十MOS管M20、第二二极管Z2、第三二极管Z3、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3；

所述CHG端口系统包括CHG端口、CHGON信号端口和CHGRDET端口，所述CHG端口为CHG MOSFET驱动电压输出端口；所述CHGON信号端口为控制CHG MOSFET导通的信号的输入端口；所述CHGRDET端口为充电器检测输入端口；所述DSG端口系统包括DSG端口、DSGON信号端口、DSGONP信号端口和DSGOFF端口，所述DSG端口为DSG MOSFET驱动电压输出端口；所述DSGON信号端口为控制DSG MOSFET导通的信号的输入端口；所述DSGONP信号端口为控制DSGMOSFET迅速导通的信号的输入端口；所述DSGOFF端口为控制DSG MOSFET关断的信号的输入端口；

所述第一MOS管M1源端、第二MOS管M2源端、第三MOS管M3源端、第四MOS管M4源端均与AGND端口连接，所述AGND端口为接地端口；所述第一MOS管M1栅端、第二MOS管M2栅端、第三MOS管M3栅端、第四MOS管M4栅端均与IB1端口连接，所述IB1端口为第一偏置电流输入端口；

所述第一MOS管M1漏端与IB1端口连接；所述第二MOS管M2漏端与第五MOS管M5源端连接；所述第三MOS管M3漏端与第六MOS管M6源端连接；所述第四MOS管M4漏端与第七MOS管M7源端连接；

所述第五MOS管M5栅端与CHGON信号端口连接，所述第五MOS管M5漏端与第八MOS管M8源端连接；