[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202210376486.3 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114464599B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 林智伟;陈维邦;郑志成 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/08;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底；
位于基底上的金属层；
位于所述金属层上的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层包含依次层叠设置的金属氮化物层、绝缘层与金属氧化物层；
位于所述刻蚀停止层上的介质层；
位于所述介质层内的多个通孔，其中至少一个所述通孔贯穿所述介质层与所述刻蚀停止层并暴露出所述金属层，至少一个所述通孔位于所述介质层内且未暴露出所述刻蚀停止层；以及，
位于所述通孔内的金属插塞；
其中，所述金属氮化物层、所述绝缘层与所述金属氧化物层构成第一电容，所述金属氧化物层、所述介质层与所述金属插塞构成第二电容，所述第一电容与所述第二电容串联。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属氮化物层与所述金属氧化物层中的金属均包含铝、银或金。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属氮化物层的材质包含氮化铝，所述金属氧化物层的材质包含氧化铝。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层的材质包含碳氧化硅。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度不大于35nm。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属氮化物层的厚度介于2nm~10nm之间，所述绝缘层的厚度介于5nm~15nm之间，所述金属氧化物层的厚度介于2nm~10nm之间。
7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基底；
在所述基底上形成金属层；
在所述金属层上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层包括依次层叠设置的金属氮化物层、绝缘层与金属氧化物层；
在所述刻蚀停止层上形成介质层，在所述介质层内形成多个通孔，其中至少一个所述通孔贯穿所述介质层与所述刻蚀停止层并暴露出所述金属层，至少一个所述通孔位于所述介质层内且未暴露出所述刻蚀停止层；以及，
在所述通孔内填充金属材料形成金属插塞；
其中，所述金属氮化物层、所述绝缘层与所述金属氧化物层构成第一电容，所述金属氧化物层、所述介质层与所述金属插塞构成第二电容，所述第一电容与所述第二电容串联。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属氮化物层的材质包含氮化铝，所述绝缘层的材质包含碳氧化硅，所述金属氧化物层的材质包含氧化铝。
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