[发明专利]一种玻璃基板的BGA工艺器件制作方法在审
申请号: | 202210378573.2 | 申请日: | 2022-04-12 |
公开(公告)号: | CN114823353A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 张晟;赵文忠;刘志丹;金星;陈帅;张飞 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 金凤 |
地址: | 710068 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 bga 工艺 器件 制作方法 | ||
1.一种玻璃基板的BGA工艺器件制作方法,其特征在于包括下述步骤:
步骤1:准备所需的玻璃基板,玻璃基板为耐高温、高透光玻璃,耐高温是耐温大于300℃,高透光指透光率大于90%,依次采用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗玻璃基板,清洗方法为超声清洗,依次清洗完毕后,一次烘干;
步骤2:用物理气相沉积的方式在玻璃基板的一个表面生成一层金属铜;
步骤3:用电镀方式将步骤2中物理气相沉积的金属铜加厚至18~25μm;
步骤4:在金属铜上涂覆一层光敏固化材料,依次通过图形转移胶片、紫外曝光、显影,使感光材料固化部位覆盖住金属铜;再化学蚀刻露出未感光的金属铜,最后退膜,去除覆盖图形金属铜上的光敏固化材料,露出玻璃基板上的金属铜;
步骤5:在金属铜上用电镀的方式先镀镍层,再镀金层;
步骤6:在金层表面植放BGA器件专用焊锡球,将玻璃基板回流加热至高于焊锡料球熔化温度30~40℃后,再冷却至室温;
步骤7:在所述玻璃基板上丝印文字、商标和零件标号;
步骤8:用铣刀或切割刀轮或激光沿外形尺寸方向切割玻璃基板为单独BGA工艺器件,切割方向为BGA工艺器件的四周外形尺寸边缘,对所述BGA工艺器件边缘打磨、抛光,去掉多余的尖角、棱边,即可完成玻璃基BGA工艺器件的制作。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板的BGA工艺器件制作方法,其特征在于:
所述步骤2中,金属铜的厚度为0.3~1μm,物理气相沉积采用靶材为纯度大于99.9%的铜,物理气相沉积采用的气体为纯度大于99.99%的氩气Ar。
3.根据权利要求1所述的玻璃基板的BGA工艺器件制作方法,其特征在于:
所述步骤4中,光敏固化材料为感光胶或感光油墨。
4.根据权利要求1所述的玻璃基板的BGA工艺器件制作方法,其特征在于:
所述步骤5中,镍层厚度为3~5μm,金层厚度为0.05~0.1μm。
5.根据权利要求1所述的玻璃基板的BGA工艺器件制作方法,其特征在于:
所述步骤6中,焊锡球合金为Sn63Pb37,熔点为183℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造