[发明专利]一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构

说明书

本发明属于封装技术领域，具体公开了一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构。在晶圆上方设置若干铝焊盘；在所有铝焊盘表面镀一层镍金，形成若干镍金层；将晶圆浸泡在液体助焊剂中，直至所有镍金层表面蘸满助焊剂后取出；将晶圆放入锡炉中，直至每个镍金层上形成一个互联的锡凸点后取出；将晶圆表面的助焊剂洗净；在洗净晶圆的锡凸点一面贴一层胶膜，然后进行塑封料填充。本发明通过先在铝焊盘上镀镍金，再包裹助焊剂，然后放入锡炉生成锡凸点，镍金层外的界面不会浸到锡，替代了复杂锡凸点制作工艺流程。晶圆浸锡完成后，整片晶圆进行助焊剂清洗，然后烘干进行晶圆塑封，漏出锡层焊点，替代传统锡凸点制作流程，提高了生产效率。

技术领域

本发明属于封装技术领域，具体涉及一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构。

背景技术

晶圆片级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，简称WLCSP)产品属于晶圆级封装，也被称为扇入式晶圆级封装(FI-WLP)，芯片尺寸与封装尺寸是1：1，其散热性能、电学性能及可靠性等级均比传统封装优越。其适用于广泛的应用市场，通常与模拟和混合信号，无线连接和汽车设备类别有关，包括集成无源设备，编解码器，功率放大器，IC驱动器，RF收发器，无线局域网芯片，GPS和汽车雷达等应用。传统的WLCSP晶圆也是把芯片四边的信号通过重分布层(Re Distribution Layer，简称RDL)再布线方式引到芯片中间区域，再生成互联锡凸点，最后切割成单粒芯片，卷包reel出货。本发明结合Fab晶圆在制造时，芯片上的铝焊盘按照客户需求分布，铝焊盘上电镀镍金，整片晶圆浸锡形成微锡凸点，替代传统WLCSP晶圆RDL再布线和锡凸点制作；另外，芯片微锡凸点加塑封有助于抵消封装应力和防止水汽腐蚀芯片，大大提升可靠性。

发明内容

本发明目的在于提供一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，以解决现有晶圆级封装方法生产效率低，可靠性差的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案予以实现：

第一方面，一种晶圆级封装方法，包括以下步骤：

在晶圆上方设置若干铝焊盘；

在所有所述铝焊盘表面镀一层镍金，形成若干镍金层；

将所述晶圆浸泡在液体助焊剂中，直至所有所述镍金层表面蘸满助焊剂后取出；

将所述晶圆放入锡炉中，直至每个所述镍金层上形成一个互联的锡凸点后取出；

将所述晶圆表面的助焊剂洗净；

在洗净晶圆的锡凸点一面贴一层胶膜，然后进行塑封料填充。

本发明的进一步改进在于：所述晶圆表面除铝焊盘外全部钝化层处理。

本发明的进一步改进在于：所述镍金层的镍层厚度为3um，金层厚度为0.1um。

本发明的进一步改进在于：将所述晶圆放入液体助焊剂中时，保持晶圆与助焊剂液面呈60°斜插入装有液体助焊剂的容器中。

本发明的进一步改进在于：所述晶圆在助焊剂中浸泡时间为4s-6s。

本发明的进一步改进在于：将所述晶圆放入锡炉中时，保持晶圆与熔融锡面呈60°斜插入的锡炉里。

本发明的进一步改进在于：所述晶圆在锡炉中浸泡4s-6s。

本发明的进一步改进在于：所述锡凸点的高度为20-30um。

本发明的进一步改进在于：对晶圆贴胶膜并填充时，具体包括以下步骤：

在晶圆有锡凸点的一面贴一层胶膜，胶膜覆盖所述锡凸点高度的50％；

将塑封料填充到不同锡凸点之间的空隙中，直至塑封料高度达到锡凸点的50％。