[发明专利]一种滤光片及晶圆划裂片用环保型基材及其制备方法

说明书

本发明提供了一种滤光片及晶圆划裂片用环保型基材及其制备方法，涉及半导体的技术领域，本发明的环保型基材聚烯烃薄膜包括层叠设置的第一表层和第二表层；其中，第一表层主要由以下组分制备而成：共聚聚丙烯、聚丙烯基弹性体以及爽滑剂，第二表层主要由以下组分制备而成：乙烯‑醋酸乙烯共聚物和高压低密度聚乙烯。本发明解决了晶圆裂片用PVC保护膜的质量稳定性欠佳及其在回收处理过程中污染环境的技术问题，达到了晶圆裂片保护用膜不仅能够达到PVC保护膜相同的性能，而且在回收处理过程中不会污染环境的技术效果。

技术领域

本发明涉及半导体的技术领域，尤其是涉及一种滤光片及晶圆划裂片用环保型基材及其制备方法。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，通常将具有电路元件结构的面称为正面，与之相对的面即称为背面。

在晶圆的加工过程中，为了满足各种用途，通常需要将晶圆粘附在一晶圆承载框上。晶圆承载框包括绷膜框和薄膜，薄膜粘附在绷膜框上，薄膜具有一定的张力，晶圆粘附在薄膜上。对整块晶圆进行切割时，一般采用激光切割代替机械刀具切割，因为机械刀具切割晶圆的刀痕宽，而激光切割的刀痕窄，因此激光切割可提高晶圆的利用率；同时，机械刀具切割晶圆时还会产生碎屑，而激光切割则不会产生碎屑，因此可提高切割品质。然而，激光切割的切割深度越深，其对激光发射器的损耗就越大，所以在采用激光切割晶圆时，一般不切透晶圆，而形成纵向裂痕和横向裂痕，将晶圆切割为多个块状晶圆，再利用裂片装置使各块状晶圆相互分离。因为激光切割晶圆时并未将晶圆完全切透，所以需要增加对晶圆进行裂片的操作工序，使晶圆在纵向划痕或横向裂痕处断裂，进而分离成多个块状晶圆。现有的裂片操作通常采用裂片机完成。

目前绷膜框上粘附的薄膜一般为PVC材质薄膜，PVC膜的特点是其本身具有一定的自洁性，能够满足晶圆加工的洁净要求，同时PVC膜在力学性能上的纵横向的各向同性较好，在裂片时能够保证纵横向的晶粒受力均匀而不会出现崩角现象，而且在PVC膜涂胶时，PVC材质由于具有一定的极性而与胶的粘结力较好，使得在裂片时可以控制裂片好的小晶粒不会飞料。

然而，目前的晶圆裂片用PVC保护膜，在生产时用到的助剂较多，导致了其质量稳定性欠佳，最重要的是PVC保护膜在后续的回收处理中会对环境产生污染，比如释放致癌气体氯化氢等。因此在现如今环境保护意识逐渐成为社会共识的环境下，PVC保护膜在晶圆加工中的应用正逐渐被市场和客户限制，所以目前亟需一种晶圆裂片保护用膜，不仅能够达到PVC保护膜相同的性能，而且在后续的回收利用和焚烧处理中均不会向环境释放有害物质，有利于环境保护。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种聚烯烃薄膜，具有较佳的质量稳定性，在力学性能上纵横向的各向同性较好，与胶的粘结力较强，而且对环境无污染。

本发明的目的之二在于提供一种所述的聚烯烃薄膜的制备方法，工艺简单，优秀率高。

本发明的目的之三在于提供一种晶圆裂片用保护膜，具有与上述聚烯烃薄膜相同的优势。

本发明的目的之四在于提供一种所述的晶圆裂片用保护膜的制备方法，工艺简单，优秀率高。

本发明的目的之五在于提供一种所述的聚烯烃薄膜的应用。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

第一方面，一种聚烯烃薄膜，包括层叠设置的第一表层和第二表层；

所述第一表层主要由以下组分制备而成：

共聚聚丙烯、丙烯基弹性体以及爽滑剂；

所述第二表层主要由以下组分制备而成：

乙烯-醋酸乙烯共聚物和高压低密度聚乙烯。