[发明专利]量子点发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种制备量子点发光器件的方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板的一侧表面上形成阳极；

在所述阳极远离所述基板的一侧形成量子点层；

对形成有所述量子点层的器件进行水汽处理，得到预处理器件；

在所述量子点层远离所述阳极的一侧形成阴极，得到量子点发光器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水汽处理的时间不超过5min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阴极是通过蒸镀形成的，蒸镀电流为2A～4A，蒸镀速率为5～10晶振点/秒。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，在形成所述量子点层之前，进一步包括：

在所述阳极远离所述基板的表面上涂覆空穴注入层溶液，并进行第一加热处理，得到空穴注入层；

在所述空穴注入层远离所述阳极的表面上涂覆空穴传输层溶液，并进行第二加热处理，得到空穴传输层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，满足以下条件中的至少之一：

涂覆所述空穴注入层溶液的方法为旋涂，转速为4000r/min～6000r/min；

第一加热处理的温度为140℃～150℃，第一加热处理的时间为20min～30min；

涂覆所述空穴传输层溶液的方法为旋涂，转速为2000r/min～4000r/min；

第二加热处理的温度为130℃～140℃，第二加热处理的时间为20min～30min。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述量子点层包括：在所述空穴传输层远离所述阳极的表面上涂覆量子点溶液，并进行第三加热处理，得到所述量子点层。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，得到所述预处理器件之后，进一步包括：

在所述量子点层远离所述阳极的表面上涂覆电子传输层溶液，并进行第四加热处理，得到电子传输层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，满足以下条件中的至少之一：

所述空穴注入层的材质包括PEDOT:PSS、PTPDES、PTPDES:TPBAH、PFO-co-NEPBN、PFO-co-NEPBN:F4-TCNQ、钼的氧化物、钨的氧化物、NiO、CuO中的至少之一；

所述空穴传输层的材质包括TFB、PVK、TCTA、TPD、聚TPD、CBP中的至少之一；

所述量子点层的材质包括II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的至少之一；

所述量子点层的材质包括无机钙钛矿型半导体、有机-无机杂化钙钛矿型半导体中的至少之一；

所述电子传输层的材质包括ZnO。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述阴极之后，还包括：采用固化树脂进行封装处理。

10.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件是利用权利要求1～9中任一项所述的方法制备得到的。