[发明专利]量子点发光器件及其制备方法

说明书

本发明提供了量子点发光器件及其制备方法。制备量子点发光器件的方法包括：提供基板；在所述基板的一侧表面上形成阳极；在所述阳极远离所述基板的一侧形成量子点层；对形成有所述量子点层的器件进行水汽处理，得到预处理器件；在所述量子点层远离所述阳极的一侧形成阴极，得到量子点发光器件。由此，通过水汽处理可以钝化量子点表面的缺陷，进而减少量子点表面缺陷引起的激子淬灭，使得电子空穴对能够更好的进行辐射并发光，进而提高量子点发光器件的发光效率并延长器件的使用寿命。

技术领域

本发明涉及量子点技术领域，具体的，涉及量子点发光器件及其制备方法。

背景技术

量子点作为一种独特的发光材料，其具有发光波长可随量子点尺寸大小调节、色域宽、发光效率高、光稳定性和热稳定性高且容易溶解等优点，近年来量子点已经被广泛应用于发光二极管的器件研究中。

量子点发光器件结构由全有机结构逐渐向有机无机杂化混合结构转变，为了提升器件稳定性，也有学者研究全无机结构的器件。在QLED(量子点发光二极管)器件结构优化的过程中，量子点发光器件的性能已经取得了很大的提高，但是QLED器件的外量子效率(EQE)和器件寿命仍然是制约QLED器件应用的主要因素。

因此，目前的量子点发光器件及其制备方法仍有待改进。

发明内容

本发明是基于发明人对以下事实和问题的发现和认识做出的：

如前所述，QLED器件的外量子效率(EQE)和器件寿命仍然是制约QLED器件应用的主要因素。发明人发现，影响QLED器件的外量子效率和器件寿命的一个重要因素就是器件的外界环境中的水汽，水汽含量过高会严重加快器件的老化，并影响器件的外量子效率；虽然对器件进行封装能够隔绝空气对器件的直接接触，但由于封装胶不能完全阻挡外界环境中水氧的渗入，因此，还是会有空气渗入器件，并对器件性能产生一定的影响。发明人通过大量研究发现，可以在制备过程中对器件进行水汽处理，通过水分子对量子点表面的缺陷态进行钝化处理，可以减少量子点表面缺陷，进而减少缺陷引起的激子淬灭，从而提高QLED器件的发光效率并延长其使用寿命。

有鉴于此，为了至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一，在本发明的一方面，本发明提供了一种制备量子点发光器件的方法，制备量子点发光器件的方法包括：提供基板；在所述基板的一侧表面上形成阳极；在所述阳极远离所述基板的一侧形成量子点层；对形成有所述量子点层的器件进行水汽处理，得到预处理器件；在所述量子点层远离所述阳极的一侧形成阴极，得到量子点发光器件。由此，通过水汽处理可以钝化量子点表面的缺陷，进而减少量子点表面缺陷引起的激子淬灭，使得电子空穴对能够更好的进行辐射并发光，进而提高量子点发光器件的发光效率并延长器件的使用寿命。

根据本发明的实施例，所述水汽处理的时间不超过5min。由此，水汽处理的时间合适，更有利于提高量子点发光器件的发光效率并延长器件的寿命。

根据本发明的实施例，所述阴极是通过蒸镀形成的，蒸镀电流为2A～4A，蒸镀速率为5～10晶振点/秒，由此，能够进一步提高制备得到的量子点发光器件的性能。

根据本发明的实施例，在形成所述量子点层之前，制备量子点发光器件的方法进一步包括：在所述阳极远离所述基板的表面上涂覆空穴注入层溶液，并进行第一加热处理，得到空穴注入层；在所述空穴注入层远离所述阳极的表面上涂覆空穴传输层溶液，并进行第二加热处理，得到空穴传输层。由此，有利于进一步提高制备得到的量子点发光器件的整体性能。