[发明专利]一种电网电晕监测器及其制备方法有效
申请号: | 202210391280.8 | 申请日: | 2022-04-14 |
公开(公告)号: | CN114744060B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 郭道友;赵天丽;邓李朋;钱松程;邢志文;王顺利 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0336;H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/18;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州敦和专利代理事务所(普通合伙) 33296 | 代理人: | 姜术丹 |
地址: | 310000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电网 电晕 监测器 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种电网电晕监测器及其制备方法,包括FTO衬底,所述FTO衬底的至少一侧具有氟掺杂氧化锡层,所述氟掺杂氧化锡层上生长有GaOOH纳米柱阵列,所述GaOOH纳米柱阵列经退火后形成α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列,所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列上设置有Ti3C2/Ag纳米线复合层,所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上设置有Ag电极,所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上的Ti3C2层与所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列之间形成Ti3C2/α/β‑Ga2O3纳米柱阵列范德瓦尔斯异质结,具有三维空间异质结界面结构和日盲特性,具有优异的化学和热稳定性,耐压强,工作温度和功耗低,重复性良好,是一个具有超高响应度的自供电电网电晕监测器,可定向识别波长位于日盲波段的200‑280nm的紫外光。
技术领域
本发明涉及紫外光电探测器技术领域,具体涉及到一种电网电晕监测器及其制备方法。
背景技术
电弧是一种气体放电现象,电流通过某些绝缘介质(例如空气)所产生的瞬间火花,这些现象长时间出现会损害高压设备,引发电力系统瘫痪,对电力系统造成严重的危害。此外,电弧放电也会严重地影响人身安全。因此,如何准确、及时、有效地检测电弧放电的位置及强弱对保证电力系统可靠运行、减少设备损坏和确保人身安全具有重要的意义。
电弧放电的监测通常有人工目视检查、远红外望远镜、超声波电晕检测和日盲紫外检测技术等,由于太阳光中含有很强的红外线,用红外线望远镜观察误检率较高,而超声波电晕检测装置探测距离较近,在使用中的人为影响因素较多,检测误差较大。日盲紫外检测技术是近几年来新兴的一种电弧检测方式,可以检测电弧放电发出的200-280nm波段深紫外光谱,而不受太阳光中300~360nm波段的紫外线干扰,检测精度高。本发明的电网电晕监测器,具有三维空间异质结界面结构和日盲特性,具有优异的化学和热稳定性,耐压强,工作温度和功耗低,重复性良好,是一个具有超高响应度的自供电电网电晕监测器。
发明内容
为了克服上述现有技术中的缺陷,本发明提供了一种电网电晕监测器及其制备方法,基于Ti3C2/α/β-Ga2O3纳米柱阵列范德瓦尔斯异质结,灵敏度高、稳定性好、响应时间短、高响应度、具有日盲特性。
技术方案
一种电网电晕监测器,包括FTO衬底,所述FTO衬底的至少一侧具有氟掺杂氧化锡层,所述氟掺杂氧化锡层上生长有GaOOH纳米柱阵列,所述GaOOH纳米柱阵列经退火后形成α/β-Ga2O3相结纳米柱阵列,所述α/β-Ga2O3相结纳米柱阵列上设置有Ti3C2/Ag纳米线复合层,所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上设置有Ag电极,所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上的Ti3C2层与所述α/β-Ga2O3相结纳米柱阵列之间形成Ti3C2/α/β-Ga2O3纳米柱阵列范德瓦尔斯异质结,所述氟掺杂氧化锡层与所述Ag电极形成通路。
进一步的,所述Ti3C2/α/β-Ga2O3纳米柱阵列范德瓦尔斯异质结由二维层状材料Ti3C2薄膜和n型α/β-Ga2O3相结纳米柱阵列构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的