[发明专利]一种石墨基座有效
| 申请号： | 202210396776.4 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114836826B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B25/16;C23C16/458;H01L21/673;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 基座 | ||
1.一种石墨基座，应用于MOCVD设备，其特征在于，包括基座本体，及设于所述基座本体上的若干放置槽组，所述放置槽组包括多个放置槽，所述放置槽内设有凹坑，所述凹坑的深度由靠近所述放置槽的表面的一端逐渐向所述放置槽的内部递增，且每个所述凹坑的深度各不相同；
其中，当所述MOCVD设备处于工作状态时，所述MOCVD设备内设有区域温度和MO源氛围浓度，所述凹坑的深度与所述区域温度和所述MO源氛围浓度对应设置；
所述区域温度包括第一区域和第二区域，所述MO源氛围浓度包括第一MO源和第二MO源，所述凹坑的深度包括第一深度和第二深度；
其中，所述第一深度的深度值与所述第一区域的温度和所述第二MO源的浓度对应设置，所述第二深度的深度值与所述第二区域的温度和所述第一MO源的浓度对应设置；
所述第一区域的温度高于所述第二区域的温度，所述第一MO源的浓度大于所述第二MO源的浓度，所述第一深度的深度值大于所述第二深度的深度值；
所述凹坑包括第一角点、第二角点和第三角点，沿所述放置槽的中心与所述基座本体的中心作参考线，所述第一角点、所述第二角点和所述第三角点与所述参考线之间分别形成第一夹角、第二夹角和第三夹角；
其中，所述第二夹角小于所述第三夹角。
2.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于：若干所述放置槽组包括第一放置槽组，所述第一放置槽组中的多个所述放置槽沿着所述基座本体的边缘设置，所述凹坑设于所述第一放置槽组的所述放置槽内。
3.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于：所述第一夹角、第二夹角和第三夹角的夹角度数均在0.01°-90°。
4.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于：所述第一夹角为60°、所述第二夹角为25°以及所述第三夹角为60°。
5.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于：所述第一深度和所述第二深度的深度值均在0.01um-30um。
6.根据权利要求5所述的石墨基座，其特征在于：所述第一深度的深度值在5um-30um。
7.根据权利要求6所述的石墨基座，其特征在于：所述第一深度的深度值为8um。
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