[发明专利]一种石墨基座

说明书

本发明公开了一种石墨基座，应用于MOCVD设备，涉及半导体技术领域，该石墨基座包括基座本体，及设于基座本体上的若干放置槽组，放置槽组包括多个放置槽，放置槽内设有凹坑，凹坑的深度由靠近放置槽的表面的一端逐渐向放置槽的内部递增，且每个凹坑的深度各不相同，其中，当MOCVD设备处于工作状态时，MOCVD设备内设有区域温度和MO源氛围浓度，凹坑的深度与区域温度和MO源氛围浓度对应设置，通过该设置，从而改善因区域温度分布不均匀、不同区域的MO源氛围浓度并入效率不一致，而导致外延片迎风面以及凹槽接触面处波长不均匀问题，该设置从整体上优化了LED外延片的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种石墨基座。

背景技术

LED制作时，先在衬底上外延生长半导体晶体材料，形成LED外延片，目前外延生长都是在MOCVD(Metal-Organic-Chemical-Vapor-Deposition)，金属有机化合物化学气相沉淀)设备的反应室内进行，在设备内包括石墨基座，在石墨基座内设有多个间隔分布的的凹槽，衬底放置于凹槽内生长，每个凹槽可放置一片外延衬底。

近年来，LED发光二极管已形成稳定的产业链，为进一步的降低成本提升产能，LED外延生长使用衬底逐步从2英寸过渡至4英寸、6英寸，大尺寸衬底需保证好的片内均匀性以及片间均匀性，这对MOCVD外延生长的温度均匀性要求更高，MOCVD石墨基座是衬底与MOCVD加热器间的热传导媒介，因此，石墨基座的温度均匀性和稳定性对LED外延产业有至关重要的作用，目前，普遍采用垂直式MOCVD生长外延薄膜，即MO源从腔体上方以垂直于石墨基座表面的方向流下。

现有的技术，虽然具有一定的效果，但在LED外延片生长过程中，承载衬底的石墨基座以高速的旋转速度进行旋转，这将导致垂直流下的MO源会被吸引至石墨基座的表面，而在石墨基座进行旋转时，MO源会以落至石墨盘表面处为起始点，延石墨基座旋转的反方向扫过放置在石墨基座凹槽内的衬底，这导致在迎风面区域出现低浓度MO源区域，而延石墨基座旋转反方向MO源浓度逐渐提升，背风面处出现高浓度MO源区域，最终导致LED外延片存在发光波长不均匀的问题。

发明内容

基于此，本发明的目的是提供一种石墨基座，以解决背景技术中LED外延片在迎风面与背风面区域MO源并入效率不一致而导致发光波长不均匀的问题。

本发明的一方面在于提供一种石墨基座，应用于MOCVD设备，该石墨基座包括基座本体，及设于所述基座本体上的若干放置槽组，所述放置槽组包括多个放置槽，所述放置槽内设有凹坑，所述凹坑的深度由靠近所述放置槽的表面的一端逐渐向所述放置槽的内部递增，且每个所述凹坑的深度各不相同；

其中，当所述MOCVD设备处于工作状态时，所述MOCVD设备内设有区域温度和MO源氛围浓度，所述凹坑的深度与所述区域温度和所述MO源氛围浓度对应设置。

进一步地，所述区域温度包括第一区域和第二区域，所述MO源氛围浓度包括第一MO源和第二MO源，所述凹坑的深度包括第一深度和第二深度；

其中，所述第一深度的深度值与所述第一区域的温度和所述第二MO源的浓度对应设置，所述第二深度的深度值与所述第二区域的温度和所述第一MO源的浓度对应设置。

进一步地，所述第一区域的温度高于所述第二区域的温度，所述第一MO源的浓度大于所述第二MO源的浓度，所述第一深度的深度值大于所述第二深度的深度值。

进一步地，若干所述放置槽组包括第一放置槽组，所述第一放置槽组中的多个所述放置槽沿着所述基座本体的边缘设置，所述凹坑设于所述第一放置槽组的所述放置槽内。

进一步地，所述凹坑包括第一角点、第二角点和第三角点，沿所述放置槽的中心与所述基座本体的中心作参考线，所述第一角点、所述第二角点和所述第三角点与所述参考线之间形成第一夹角、第二夹角和第三夹角；

其中，所述第二夹角小于所述第三夹角。