[发明专利]导电层、太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210401548.1 申请日: 2022-04-18
公开(公告)号: CN114914311B 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 徐磊;薛建锋;魏科胜;王金 申请(专利权)人: 通威太阳能(安徽)有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/18
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴晓雯
地址: 230031 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 导电 太阳能电池 及其 制备 方法
【说明书】:

发明涉及一种导电层、太阳能电池及其制备方法。该导电层包括层叠设置的第一TCO层、第二TCO层、第三TCO层及第四TCO层。第一TCO层在第一气氛下制备,第一气氛为氩气及氢气的混合气体;第二TCO层在第二气氛下制备,第二气氛为氩气、氢气及氧气的混合气体,氢气分压梯度降低且氧气分压梯度增加;第三TCO层在第三气氛下制备,第三气氛为氩气及氧气的混合气体;第四TCO层在第四气氛下制备,第四气氛为氩气及氧气的混合气体,且氧气分压梯度降低;第三气氛中氧气分压不低于第二气氛中氧气分压及第四气氛中氧气分压。该导电层具有较高透过率及导电性,可提高太阳能电池的转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种导电层、太阳能电池及其制备方法。

背景技术

异质结太阳能电池(heterojunction solar cell,简称为HJT 电池)是p-n结由两种不同类型的半导体材料组成的太阳能电池。HJT电池良好的钝化接触可以在最大化降低接触表面的载流子负荷速率的同时保持电池较好的电学性能。

通常地,HJT电池主要涉及的工艺步骤有:(1)对晶硅进行制绒清洗处理;(2)在晶硅正面沉积本征非晶硅层和N掺杂非晶硅层;(3)在晶硅背面沉积本征非晶硅层和P掺杂非晶硅层;(4)在非晶硅层表面沉积透明导电薄膜;(5) 在透明导电薄膜上制作金属电极。其中,在非晶硅层表面沉积透明导电薄膜的步骤中通常在氩气及氧气气氛下进行,从而调节透明导电薄膜的电阻及透过率,然而这种方式形成的电池,其非晶硅层与透明导电薄膜之间导电性较差,从而影响异质结电池的效率。

发明内容

基于此,有必要提供一种与非晶硅层导电性较好、具有较高透过率及较高导电性能的导电层。

本发明的一个方面,提供了一种导电层,包括层叠设置的第一TCO层、第二TCO层、第三TCO层及第四TCO层;

所述第一TCO层在第一气氛下制备,所述第一气氛为氩气及氢气的混合气体;

所述第二TCO层在第二气氛下制备,所述第二气氛为氩气、氢气及氧气的混合气体,在所述第二TCO层的制备过程中,所述氢气的分压梯度降低且所述氧气的分压梯度增加;

所述第三TCO层在第三气氛下制备,所述第三气氛为氩气及氧气的混合气体;

所述第四TCO层在第四气氛下制备,所述第四气氛为氩气及氧气的混合气体,且在所述第四TCO层的制备过程中,所述氧气的分压梯度降低;

所述第三气氛中氧气的分压不低于所述第二气氛中氧气的分压最大值及所述第四气氛中氧气的分压最大值。

在其中一些实施例中,所述第一气氛中氢气的分压恒定。

在其中一些实施例中,所述第三气氛中氧气的分压恒定。

在其中一些实施例中,所述第一TCO层的厚度为2nm~6nm。

在其中一些实施例中,所述第二TCO层的厚度为4nm~10nm。

在其中一些实施例中,所述第三TCO层的厚度为80nm~100nm。

在其中一些实施例中,所述第四TCO层的厚度为5nm~10nm。

在其中一些实施例中,所述第一气氛中氢气的分压为2%~5%。

在其中一些实施例中,所述第二气氛中,氢气的分压为0~5%,氧气的分压为0~5%。

在其中一些实施例中,所述第三气氛中,氧气的分压为3%~5%。

在其中一些实施例中,所述第四气氛中,氧气的分压为0~3%。

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