[发明专利]一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于半导体器件的异质结结构，其特征在于，包括：位于基底以及基底上方的异质结构层；

所述异质结构层包括至少两层有源层以及位于相邻的两层所述有源层之间的中间结构层，其中，相邻的两层所述有源层的带隙不同，以使得在相邻的两层有源层之间形成异质结，所述中间结构层用于阻挡金属和氧元素的扩散，所述中间结构层的厚度和能带结构允许载流子穿过，并在所述第一有源层和所述第二有源层之间传输。

2.如权利要求1所述的异质结结构，其特征在于，所述中间结构层为：氧化铝、氧化铪、氧化钽或氧化钛。

3.如权利要求1所述的异质结结构，其特征在于，所述有源层为IGZO、IZO、ZTO、ITZO、AZO、ZnO、GaO或InO。

4.如权利要求1所述的异质结结构，其特征在于，所述中间结构层的厚度为0-5nm。

5.一种异质结半导体器件结构，其特征在于，包括：

衬底；

异质结构层，述异质结构层为权利要求1-4中任一结构，位于所述衬底的部分上表面；

栅极绝缘层，位于所述异质结构层的部分上表面；

栅电极层，位于所述栅极绝缘层的上方；

钝化层，所述钝化层覆盖所述栅电极层和所述栅极绝缘层；

源漏电极层，底部接触所述异质结构层，并位于所述栅电极层的两端，其中，所述钝化层将所述源漏电极层与所述栅电极层分隔开。

6.一种异质结半导体器件结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底部分上表面的栅电极层；

栅极绝缘层，位于所述衬底的上表面并覆盖所述栅电极层；

异质结构层，所述异质结构层为权利要求1-4中任一结构，位于所述栅极绝缘层的部分上表面；

源漏电极层，分布在所述栅电极层的两端，底部同时接触所述异质结构层和所述栅极绝缘层。

7.一种异质结半导体器件结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底部分上表面的栅电极层；

栅极绝缘层，位于所述衬底的上表面并覆盖所述栅电极层；

异质结构层，所述异质结构层为权利要求1-4中任一结构，位于所述栅极绝缘层的部分上表面；

刻蚀阻挡层，位于所述异质结构层的部分上表面；

源漏电极层，分布在所述栅电极层的两端，底部同时接触所述刻蚀阻挡层、异质结构层和栅极绝缘层。

8.一种异质结半导体器件结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上表面的底电极；

位于所述底电极上方部分表面的异质结构层，所述异质结构层为权利要求1-4中任一结构；

顶电极，位于所述异质结构层上方的部分表面；

钝化层，分布于所述顶电极的两端，并且，所述钝化层的底部同时接触所述异质结构层和所述底电极。

9.一种异质结半导体器件结构，其特征在于，包括：

衬底；

异质结构层，所述异质结构层为权利要求1-4中任一结构，位于所述衬底的部分上表面；

栅电极层，位于所述异质结构层上方的部分表面；

钝化层，覆盖所述栅电极层；

源漏电极层，底部接触所述异质结构层，并分布在所述栅电极层的两端，其中，所述钝化层将所述源漏电极层与所述栅电极层分隔开。

10.一种异质结半导体器件结构的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一有源层；

在所述第一有源层的上表面形成中间结构层；

在所述中间结构层上表面形成第二有源层，所述第二有源层和所述第一有源层具有不同的带隙，以使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间形成异质结；所述中间结构层能够阻挡金属和氧元素的扩散，具有预设厚度，所述中间结构层的厚度和能带结构允许载流子穿过，并在所述第一有源层和所述第二有源层之间传输。