[发明专利]抛光组合物及其使用方法有效

专利信息
申请号: 202210415098.1 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN114736612B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: C·巴列斯特罗斯;A·米什拉;E·特纳 申请(专利权)人: 富士胶片电子材料美国有限公司
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;H01L21/306
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 韩果
地址: 美国罗*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 抛光 组合 及其 使用方法
【权利要求书】:

1.一种抛光组合物,包括:

至少一种磨料;

至少一种氮化物去除率降低剂,包含:

含有C12至C40烃基团的疏水部分;

含有至少一种基团的亲水部分,所述至少一种基团选自于由亚磺酸基、硫酸基、羧基、磷酸基团和膦酸基团组成的组;和

其中,所述疏水部分和所述亲水部分被0个环氧烷基团分开;

酸的混合物,所述酸的混合物包含氨基酸,其中,所述氨基酸为氨基乙酸、甘氨酸、N-二甘氨酸、三甲基甘氨酸、丙氨酸、组氨酸、缬氨酸、苯基丙氨酸、脯氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、精氨酸、赖氨酸或酪氨酸;以及

水;

其中,所述抛光组合物不含盐和阴离子聚合物,并且所述抛光组合物具有2至6.5的pH。

2.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述酸的混合物进一步包含选自由以下组成的组的酸:甲酸、乙酸、丙二酸、柠檬酸、丙酸、苹果酸、己二酸、琥珀酸、乳酸、草酸、羟基乙叉二膦酸、2-膦基丁烷-1,2,4-三羧酸、氨基三甲叉膦酸、己二胺四甲叉膦酸、双(六亚甲基)三胺膦酸、过乙酸、乙酸钾、苯氧基乙酸、二甘醇酸、甘油酸、苯甲酸、硝酸、硫酸、亚硫酸、磷酸、膦酸、盐酸、过碘酸及其混合物。

3.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述抛光组合物包括占所述抛光组合物的0.01wt%至10wt%的量的所述酸的混合物。

4.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述疏水部分含有C16至C22烃基团。

5.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述亲水部分含有磷酸基团或膦酸基团。

6.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述至少一种氮化物去除率降低剂选自由以下组成的组:月桂醇磷酸酯、肉豆蔻醇磷酸酯、硬脂酰磷酸酯、磷酸正十八酯、油醇磷酸酯、磷酸二十二烷基酯、十八烷基硫酸酯、三十二烷基磷酸酯以及其混合物。

7.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述抛光组合物包括至少两种或至少三种氮化物去除率降低剂。

8.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述至少一种氮化物去除率降低剂的量为所述抛光组合物的至少0.1ppm至最多1000ppm。

9.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述至少一种磨料选自由以下组成的组:阳离子磨料、中性磨料和阴离子磨料。

10.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述至少一种磨料选自由以下组成的组:氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、二氧化铈、氧化锆、其共形成产物、涂敷磨料、表面改性磨料以及其混合物。

11.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述至少一种磨料包括二氧化硅基磨料。

12.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述至少一种磨料的量为所述抛光组合物的至少0.05wt%至最多20wt%。

13.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述水的量为所述抛光组合物的至少50wt%至最多99.9wt%。

14.如权利要求1所述的抛光组合物,进一步包括:

至少一种凹陷降低剂;

其中,所述至少一种凹陷降低剂是含有至少一种基团的化合物,所述至少一种基团选自于由羟基、硫酸基、膦酸基团、磷酸基团、磺酸基、氨基、硝酸基团、亚硝酸基团、羧基以及碳酸基团组成的组。

15.如权利要求14所述的抛光组合物,其中,所述至少一种氮化物去除率降低剂和所述至少一种凹陷降低剂是化学上彼此不同的。

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