[发明专利]Micro-LED显示芯片及其制作方法和相关设备

权利要求书

1.一种Micro-LED显示芯片，其特征在于，包括：

第一基板；

LED外延结构层，所述LED外延结构层位于所述第一基板上；所述LED外延结构层包括阵列排布的多个Micro-LED单元，所述Micro-LED单元与所述第一基板电连接并能够独立的被驱动，所述Micro-LED单元的出光面背对所述第一基板；

光学器件层，所述光学器件层位于所述Micro-LED单元的出光面；所述光学器件层包括多个光学器件，一个所述光学器件对应一个所述Micro-LED单元设置，所述光学器件包括图形化的微结构；所述图形化的微结构用于调整所述Micro-LED单元发出的光线的出射角度和出射面积。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED显示芯片，其特征在于，所述图形化的微结构包括多个柱状凸起；所述多个柱状凸起均匀分布在所述Micro-LED单元的出光面。

3.根据权利要求2所述的Micro-LED显示芯片，其特征在于，所述柱状凸起在所述Micro-LED单元的出光面的投影的形状为圆形或者正方形，且多个所述柱状凸起在所述Micro-LED单元的出光面的投影阵列排布。

4.根据权利要求2所述的Micro-LED显示芯片，其特征在于，所述柱状凸起在所述Micro-LED单元的出光面的投影为光栅状的条纹；多个所述柱状凸起在所述Micro-LED单元的出光面的投影阵列排布。

5.根据权利要求1所述的Micro-LED显示芯片，其特征在于，所述光学器件层和所述LED外延结构层之间具有平坦化层，所述平坦化层覆盖所述多个Micro-LED单元。

6.根据权利要求1所述的Micro-LED显示芯片，其特征在于，所述光学器件层的材料包括二氧化硅、三氧化二铝、氮化硅、Su-8光刻胶或聚酰亚胺。

7.根据权利要求1所述的Micro-LED显示芯片，其特征在于，所述光学器件层包括多个间隔排列的第一部分和第二部分，所述第一部分为光学器件，所述第二部分为所述光学器件之间的间隔部分，所述间隔部分非光学器件，所述光学器件层一体成型。

8.根据权利要求1所述的Micro-LED显示芯片，其特征在于，所述第一基板和所述LED外延结构层之间具有键合层；

所述Micro-LED单元包括在所述第一基板上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；多个所述Micro-LED单元的第一半导体层连续设置；

所述第一基板具有驱动电路以及与所述驱动电路电连接的多个驱动触点，一个驱动触点对应一个Micro-LED单元；所述Micro-LED单元还包括位于所述第二半导体层上的第一电极层；所述键合层和所述LED外延结构层具有暴露所述驱动触点的开口；所述第一电极层通过所述开口与所述驱动触点电连接。

9.根据权利要求1所述的Micro-LED显示芯片，其特征在于，还包括：

波长转换层，所述波长转换层位于所述光学器件层的表面；所述波长转换层用于对所述Micro-LED单元发出的光线进行波长转换。

10.根据权利要求9所述的Micro-LED显示芯片，其特征在于，所述波长转换层包括多个波长转换元件；任一所述波长转换元件在所述第一基板上的投影至少与一所述Micro-LED单元在所述第一基板上的投影重叠；

所述波长转换元件至少包括第一波长转换元件，所述第一波长转换元件用于将所述Micro-LED单元发出的第一颜色光转换为第二颜色光。

11.根据权利要求10所述的Micro-LED显示芯片，其特征在于，所述波长转换元件还包括第二波长转换元件；所述第二波长转换元件用于将所述Micro-LED单元发出的第一颜色光转换为第三颜色光。