[发明专利]Micro-LED显示芯片及其制作方法和相关设备在审
申请号: | 202210418073.7 | 申请日: | 2022-04-20 |
公开(公告)号: | CN114759058A | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 庄永漳 | 申请(专利权)人: | 镭昱科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/62 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 秦卫中 |
地址: | 中国香港新界科*** | 国省代码: | 香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | micro led 显示 芯片 及其 制作方法 相关 设备 | ||
本发明提供了一种Micro‑LED显示芯片及其制作方法和相关设备,其中,Micro‑LED显示芯片包括:第一基板、位于第一基板上的LED外延结构层和光学器件层;该LED外延结构层包括阵列排布的多个Micro‑LED单元,该Micro‑LED单元与第一基板电连接并能够独立的被驱动,Micro‑LED单元的出光面背对第一基板;该光学器件层位于Micro‑LED单元的出光面,该光学器件层包括多个光学器件,一个光学器件对应一个Micro‑LED单元设置,该光学器件包括图形化的微结构;该图形化的微结构用于调整Micro‑LED单元发出的光线的出射角度和出射面积,以使Micro‑LED单元发出的光线尽可能多地从Micro‑LED显示芯片的出光面出射。基于此,可以提高Micro‑LED显示芯片的出光量和出光效率,进而可以提高Micro‑LED显示芯片的显示效果。
技术领域
本发明涉及发光显示技术领域,具体涉及一种Micro-LED显示芯片及其制作方法和相关设备。
背景技术
随着微型LED(Micro-LED)显示技术的出现,使得显示设备如增强现实(AugmentedReality,简称AR)显示设备、近眼显示(Near-eye display,简称NED)设备以及可穿戴显示设备等的微型化和高分辨率成为可能。但是,当前Micro-LED显示设备的显示效果有待进一步提高。
发明内容
有鉴于此,本发明致力于提供一种Micro-LED显示芯片及其制作方法和相关设备,以提高Micro-LED显示设备的显示效果。
第一方面,本发明提供了一种Micro-LED显示芯片,包括:
第一基板;
LED外延结构层,所述LED外延结构层位于所述第一基板上;所述LED外延结构层包括阵列排布的多个Micro-LED单元,所述Micro-LED单元与所述第一基板电连接并能够独立的被驱动,所述Micro-LED单元的出光面背对所述第一基板;
光学器件层,所述光学器件层位于所述Micro-LED单元的出光面;所述光学器件层包括多个光学器件,一个所述光学器件对应一个所述Micro-LED单元设置,所述光学器件包括图形化的微结构;所述图形化的微结构用于调整所述Micro-LED单元发出的光线的出射角度和出射面积。
第二方面,本发明提供了一种Micro-LED显示芯片的制作方法,包括:
在第一基板上形成LED外延结构层;所述LED外延结构层包括阵列排布的多个Micro-LED单元,所述Micro-LED单元与所述第一基板电连接并能够独立的被驱动,所述Micro-LED单元的出光面背对所述第一基板;
在所述Micro-LED单元的出光面形成光学器件层;所述光学器件层包括多个光学器件,一个所述光学器件对应一个所述Micro-LED单元设置,所述光学器件包括图形化的微结构;所述图形化的微结构用于调整所述Micro-LED单元发出的光线的出射角度和出射面积。
第三方面,本发明提供了一种显示装置,包括如上任一项所述的Micro-LED显示芯片。
第四方面,本发明提供了一种电子设备,包括如上任一项所述的Micro-LED显示芯片或如上所述的显示装置。
本发明提供的Micro-LED显示芯片及其制作方法和相关设备,第一基板上具有LED外延结构层和光学器件层,LED外延结构层包括多个Micro-LED单元,光学器件层包括多个光学器件,光学器件包括图形化的微结构,由于光学器件层位于Micro-LED单元的出光面,每一个光学器件与一个Micro-LED单元对应设置,且光学器件或者说图形化的微结构可以调整Micro-LED单元发出的光线的出射角度和出射面积,以使Micro-LED单元发出的光线尽可能多地从显示器件的出光面出射,因此,可以提高Micro-LED显示芯片的出光量和出光效率,进而可以提高Micro-LED显示芯片的显示效果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的