[发明专利]制造半导体装置的方法及应用于其的制造腔室与导流板

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

将一个或多个半导体晶圆装载到工艺腔室内提供的多个站中；

应用工艺到所述半导体晶圆，其中沉积材料在所述工艺腔室内的所述一个或多个半导体晶圆上；以及

清洗所述工艺腔室，

其中所述清洗包括：

将清洗气体流向所述工艺腔室朝向设置在所述工艺腔室中的导流板，所述导流板具有第一表面，其中流过的所述清洗气体撞击其上，所述第一表面引导所述清洗气体的第一部分在第一轨迹上朝向所述工艺腔室的第一端，并且所述清洗气体的第二部分在第二轨迹上朝向所述工艺腔室的第二端，所述第二端与所述第一端相对。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导流板具有中心枢纽和外围，所述第一表面在其间延伸，并且沿着所述导流板的平分横截面，所述第一表面由至少两个弧定义，其间具有反曲点，所述至少两个弧，包括第一弧，在所述中心枢纽和所述反曲点之间的第一方向中是凹，以及第二弧，在所述反曲点和所述外围之间的第二方向中是凹的，所述第二方向与所述第一方向相对。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一表面具有多个拋物线凹坑，其作用是引导撞击其上的流动所述清洗气体的所述第一部分在所述第一轨迹中朝向所述工艺腔室的所述第一端，以及多个拋物线脊，其作用是引导撞击其上的流动所述清洗气体的所述第二部分在所述第二轨迹中朝向所述工艺腔室的所述第二端。

4.一种用于沉积材料于一个或多个半导体晶圆的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室包括：

多个安装结构，每一所述安装结构布置成在其顶部选择性地接收半导体晶圆；

一个或多个喷头，使工艺气体从它引入至所述工艺腔室，以在放置在所述多个安装结构上的所述一个或多个半导体晶圆上形成材料的薄膜；

端口，使清洗气体从它流入所述工艺腔室；以及

具有中心枢纽、外围和在所述中心枢纽和外围之间延伸的第一表面的导流板，所述第一表面面向所述端口，并沿所述导流板的平分横截面，所述第一表面由具有反曲点在其间的至少两个弧定义，所述至少两个弧包括第一弧，其是所述中心枢纽和所述反曲点之间的第一方向中的凹，以及第二弧，其是所述反曲点和所述外围之间的第二方向中的凹，所述第二方向与所述第一方向相对。

5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，更包括：

主轴，包括多个用于操作所述半导体晶圆的末端执行器，

其中所述导流板形成所述主轴的指标板材。

6.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一弧具有曲率的半径在大于或等于20毫米且小于或等于500毫米的范围内，并且所述第二弧具有曲率的半径在大于或等于之间的范围内等于10毫米且小于或等于300毫米的范围内。

7.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述导流板具有与所述第一表面相对的第二表面，使得所述导流板的厚度由所述第一和第二表面之间的距离给出，所述导流板具有所述中心枢纽处的第一厚度、所述第一弧的局部最小值处的第二厚度和所述第二弧处的局部最大值处的第三厚度，所述第一厚度大于所述第三厚度并且所述第三厚度大于所述第二厚度。

8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述导流板被支撑在所述工艺腔室内，使得在所述导流板的所述外围处，所述导流板的所述第二表面在距所述工艺腔室的地板大于或等于0毫米且小于或等于30毫米之间的范围内。

9.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，共同的垂直轴延伸穿过所述导流板的所述中心枢纽和所述端口。

10.一种清洗气体导流板，使所述清洗气体偏转流入具有容纳多个安装结构的半导体工艺腔室，且在其上选择性地放置一个或多个半导体晶圆，用于在其上形成层和材料，其特征在于，所述清洗气体导流板包括：

中心枢纽，其中中心垂直轴延伸穿过所述中心枢纽；

外围；以及

第一表面，延伸在所述中心枢纽和所述外围之间，

其中所述第一表面具有：(i)在其中的一个或多个凹坑，每个所述凹坑至少部分由向上凹的第一拋物线弧限定，和(ii)在其中的一个或多个脊，每个所述脊至少部分由第二拋物线弧限定凹下来。