[发明专利]制造半导体装置的方法及应用于其的制造腔室与导流板

说明书

本发明提供一种制造半导体装置的方法包括：将一个或多个半导体晶圆装载到工艺腔室内提供的多个站中；将工艺应用于半导体晶圆其中沉积应用于材料上的一个或多个半导体晶圆内的工艺腔室；和清洗工艺腔室。适宜地，清洗和工艺腔室包括将清洗气体流向工艺腔室，流向布置在工艺腔室中的导流板，导流板具有第一表面，流动的清洗气体撞击在第一表面上，第一表面引导流动清洗气体的第一部分以第一轨迹撞击其上朝向工艺腔室的第一端并且引导流动清洗气体的第二部分以第二轨迹撞击其上朝向工艺腔室的第二端，第二端与第一端相对。

技术领域

本发明涉及一种制造半导体装置的方法及应用于其的工艺腔室与清洗气体导流板。

背景技术

以下内容关于半导体技术，尤其关于用于半导体装置的制造和/或半导体晶圆的处理的方法和设备；到用来沉积碳氧化硅(SiCO)材料的工艺腔室的清洗；以及相关技术。

发明内容

本申请提供一种制造半导体装置的方法。方法包括：将一个或多个半导体晶圆装载到工艺腔室内提供的多个站中；将工艺应用于半导体晶圆其中将材料沉积于工艺腔室内的一个或多个半导体晶圆；和清洗工艺腔室。适宜地，清洗工艺腔室包括将清洗气体流向工艺腔室且朝向布置在工艺腔室中的导流板，导流板具有第一表面，流动的清洗气体撞击在第一表面上，第一表面引导撞击其上的流动清洗气体的第一部分以第一轨迹朝向工艺腔室的第一端并且引导撞击其上的流动清洗气体的第二部分以第二轨迹朝向工艺腔室的第二端，第二端与第一端相对。

本申请提供一种用于沉积材料于一个或多个半导体晶圆的工艺腔室，工艺腔室包括：多个安装结构，每个安装结构布置成在其顶部选择性地接收半导体晶圆；一个或多个喷头，使工艺气体从它引入至工艺腔室，以在放置在多个安装结构上的一个或多个半导体晶圆上形成材料的薄膜；一个端口，使清洗气体从它流述工艺腔室；以及导流板具有中心枢纽、外围和在中心枢纽和外围之间延伸的第一表面，第一表面面向端口，并且沿着导流板的平分横截面，第一表面由至少两个在其间具有反曲点的弧定义，至少两个弧包括一个第一弧，它是中心枢纽和反曲点之间的第一方向中的凹，和第二弧，它是反曲点和外围之间的第二方向中的凹，第二方向与第一方向相对。

本申请提供一种清洗气体导流板，它使流入半导体工艺腔室的清洗气体偏转，其中容纳了在其上选择性地放置一个或多个半导体晶圆以在其上形成层和材料的多个安装结构。清洗气体导流板包括：中心枢纽，中心垂直轴延伸穿过该中心枢纽；外围；以及在中心枢纽和外围之间延伸的第一表面，其中第一表面具有：(i)在其中的一个或多个凹坑，每个凹坑至少部分地由向上凹的第一拋物线弧限定，和(ii)在其中的一个或多个脊，每个脊至少部分由向下凹的第二拋物线弧定义。

附图说明

结合随附图式阅读以下具体描述会最佳地理解本揭露内容的态样。需要注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并不是按比例绘制。事实上，可出于论述清楚起见而任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1A和1B图解分别示出了用于根据本揭露的一些实施例用于在半导体晶圆或基底上执行原子层沉积(ALD)或其他类似材料沉积工艺的多站工艺腔室的部分分解的侧视图和透视视图，其中某些元件和/或表面部分显示为透明的以揭露其内部结构和/或表面。

图2图解示出了呈现图1A和图1B中所示的工艺腔室的上或顶端或部分的部分天花板的透视视图。

图3图解示出了根据本揭露的一些实施例的清洗气体导流板的透视视图。

图4A和4B图解示出了部分局部透视视图，其呈现出包括主轴(图4A)的图1A和1B中所示的工艺腔室的下或底端或部分，以及主轴(图4B)的透视隔离视图。

图5图解示出了沿图3中横截面线5-5截取所示的清洗气体导流板的横截面视图。