[发明专利]半导体存储器结构及制备方法

权利要求书

1.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上表面的至少一个第一沟槽，且所述第一沟槽的顶部的边缘角处呈弧状；

第一介电层，沿所述第一沟槽的内壁分布；

第二介电层，形成于所述第一介电层的表面，并填满所述第一沟槽；

所述第一介电层的顶部低于所述第二介电层的顶部和所述衬底的上表面，使所述第二介电层和所述衬底之间形成有第一凹槽；

金属填充层，位于所述第一凹槽内，填充所述第一凹槽内的部分空间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，还包括：

第三介电层，位于所述金属填充层顶部上方，并位于所述第一凹槽内，填满所述第一凹槽。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述第二介电层包括第一子层和第二子层，所述第一子层形成于所述第一介电层的表面，所述第二子层形成于所述第一子层的表面，并填满所述第一沟槽。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述第一介电层包括氧化物介电层，和/或：

所述第二介电层包括氮化物介电层。

5.根据权利要求3所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述第一子层包括氮化物介电层，所述第二子层包括氧化物介电层。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，还包括第四介电层，所述第四介电层覆盖于所述第一凹槽内壁，且所述第四介电层填充所述第一凹槽的部分空间。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，还包括：

绝缘层，形成于所述第二介电层的顶部上方、金属填充层的顶部上方以及所述衬底的上表面。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，还包括：

栅极堆叠结构，形成于所述衬底的顶部上方，和/或：

负载堆叠结构，形成于所述第二介电层的顶部上方。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述栅极堆叠结构至少包括沿垂直所述衬底上表面的方向向上依次分布的第一多晶硅层、第一导电层以及第一掩膜层，和/或：所述负载堆叠结构包括沿垂直所述衬底上表面的方向向上依次分布的第二多晶硅层、第二导电层以及第二掩膜层。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述金属填充层的制备材料与所述第一导电层、第二导电层的制备材料相同。

11.一种半导体存储器结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底上表面形成有第一沟槽；

沿所述第一沟槽的内壁依次形成第一介电材料层、第二介电材料层；

部分去除所述第一介电材料层和第二介电材料层，以使所述第一沟槽的顶部的边缘角处呈圆弧状，并分别对应形成第一介电层和第二介电层，且所述第一介电层的顶部低于所述第二介电层的顶部和所述衬底的上表面，从而在所述第二介电层和所述衬底之间形成第一凹槽；

在所述第一凹槽内形成金属填充层，以部分填充所述第一凹槽。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽内形成金属填充层后，还包括以下步骤：

在所述金属填充层的顶部上方形成第三介电层，所述第三介电层填满所述第一凹槽。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述部分去除所述第一介电材料层和第二介电材料层包括以下步骤：

采用干法刻蚀或湿法刻蚀中的至少一种，以部分去除所述第一介电材料层和第二介电材料层，且选用的刻蚀气体或刻蚀液体对所述第一介电材料层的刻蚀速率大于对所述第二介电材料层的刻蚀速率。