[发明专利]一种结晶器流场偏流的控制方法及装置

权利要求书

1.一种结晶器流场偏流的控制方法，其特征在于，所述方法包括：

实时获取浸入式水口两侧的液位数据；

基于所述液位数据，计算所述浸入式水口两侧的液位差；

在所述浸入式水口两侧的液位差大于预定阈值时，调整所述浸入式水口在所述结晶器内的深度。

2.根据权利要求1所述的结晶器流场偏流的控制方法，其特征在于，所述在所述浸入式水口两侧的液位差大于预定阈值时，调整所述浸入式水口在所述结晶器内的深度，包括：

在所述浸入式水口两侧的液位差大于预定阈值时，计算所述浸入式水口两侧的液位差与所述预定阈值之间的差距值；

根据所述差距值调整所述浸入式水口在所述结晶器内的深度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述差距值调整所述浸入式水口在所述结晶器内的深度，包括：

根据所述差距值确定所述浸入式水口在所述结晶器内的深度增加值，所述深度增加值与所述差距值正相关；

按照所述深度增加值，调整所述浸入式水口在所述结晶器内的深度。

4.根据权利要求1所述的结晶器流场偏流的控制方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述浸入式水口两侧的液位差大于预定阈值时，计算所述浸入式水口两侧的液位差与所述预定阈值之间的差距值；

在所述浸入式水口两侧的液位差大于预定阈值时，调整针对所述结晶器内各个惰性气体输入路径的气体输入量。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述浸入式水口两侧的液位差大于预定阈值时，调整针对所述结晶器内各个惰性气体输入路径的气体输入量，包括：

根据所述差距值确定所述气体输入量的降低值，所述气体输入量的降低值与所述差距值正相关；

按照所述气体输入量的降低值，调整针对所述结晶器内各个惰性气体输入路径的气体输入量。

6.一种结晶器流场偏流的控制装置，其特征在于，所述装置包括：

获取单元，用于实时获取浸入式水口两侧的液位数据；

计算单元，用于基于所述液位数据，计算所述浸入式水口两侧的液位差；

第一调整单元，用于在所述浸入式水口两侧的液位差大于预定阈值时，调整所述浸入式水口在所述结晶器内的深度。

7.根据权利要求6所述的结晶器流场偏流的控制装置，其特征在于，所述第一调整单元配置为：在所述浸入式水口两侧的液位差大于预定阈值时，计算所述浸入式水口两侧的液位差与所述预定阈值之间的差距值；根据所述差距值调整所述浸入式水口在所述结晶器内的深度。

8.根据权利要求7所述的结晶器流场偏流的控制装置，其特征在于，所述第一调整单元还配置为：根据所述差距值确定所述浸入式水口在所述结晶器内的深度增加值，所述深度增加值与所述差距值正相关；按照所述深度增加值，调整所述浸入式水口在所述结晶器内的深度。

9.根据权利要求7所述的结晶器流场偏流的控制装置，其特征在于，所述装置还包括第二调整单元，所述第二调整单元配置为：在所述浸入式水口两侧的液位差大于预定阈值时，计算所述浸入式水口两侧的液位差与所述预定阈值之间的差距值；根据所述差距值调整针对所述结晶器内各个惰性气体输入路径的气体输入量。

10.根据权利要求9所述的结晶器流场偏流的控制装置，其特征在于，所述第二调整单元还配置为：根据所述差距值确定所述气体输入量的降低值，所述气体输入量的降低值与所述差距值正相关；按照所述气体输入量的降低值，调整针对所述结晶器内各个惰性气体输入路径的气体输入量。