[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 202210429959.1 | 申请日： | 2022-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN115064491A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 李韦儒;郑存甫;吴忠纬;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
1.一种半导体装置结构，包括：
一基板，具有自该基板形成的多个鳍状物；
一第一源极/漏极结构，包括：
该第一源极/漏极结构的一第一外延层，接触多个所述鳍状物的一第一鳍状物；
该第一源极/漏极结构的一第二外延层，形成于该第一源极/漏极结构的该第一外延层上；
该第一源极/漏极结构的一第三外延层，形成于该第一源极/漏极结构的该第二外延层上，且该第一源极/漏极结构的该第三外延层包括一中心部分与高于该第一源极/漏极结构的该第三外延层的该中心部分的一边缘部分；以及
该第一源极/漏极结构的一第四外延层，形成于该第一源极/漏极结构的该第三外延层上；
一第二源极/漏极结构，与该第一源极/漏极结构相邻并包括：
该第二源极/漏极结构的一第一外延层，接触多个所述鳍状物的一第二鳍状物；
该第二源极/漏极结构的一第二外延层，形成于该第二源极/漏极结构的该第一外延层上；
该第二源极/漏极结构的一第三外延层，形成于该第二源极/漏极结构的该第二外延层上，该第二源极/漏极结构的该第三外延层包括一中心部分与高于该第二源极/漏极结构的该第三外延层的该中心部分的一边缘部分；其中该第二源极/漏极结构的该第三外延层的该中心部分与该边缘部分分别接触该第一源极/漏极结构的该第三外延层的该中心部分与该边缘部分；以及
该第二源极/漏极结构的一第四外延层，形成于该第二源极/漏极结构的该第三外延层上；以及
一源极/漏极接点，覆盖该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构的多个所述第三外延层的所有多个所述边缘部分，且该源极/漏极接点覆盖该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构的多个所述第三外延层的多个所述中心部分的一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210429959.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置结构
- 下一篇：一种消防用无人直升机的喷水系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
