[发明专利]半导体装置结构

说明书

一种半导体装置，包括具有鳍状物的基板；第一源极/漏极结构，其包括第一外延层接触第一鳍状物、第二外延层位于第一外延层上、第三外延层位于第二外延层上且包括中心部分与高于中心部分的边缘部分、以及第四外延层位于第三外延层上；第二源极/漏极结构，与第一源极/漏极结构相邻并包括第一外延层接触第二鳍状物、第二外延层位于第二源极/漏极结构的第一外延层上、第三外延层位于该第二源极/漏极结构的第二外延层上且包括中心部分与高于第三外延层的中心部分的边缘部分。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置结构，尤其涉及外延源极/漏极结构与源极/漏极接点。

背景技术

随着半导体产业进展至纳米技术工艺节点以求更高装置密度、更高效能、与更低成本，来自制作与设计的问题造成三维设计如鳍状场效晶体管的发展。鳍状场效晶体管装置通常含有高深宽比的半导体鳍状物，而通道与源极/漏极区形成其中。栅极形成于鳍状结构的侧部与顶部上(比如包覆鳍状结构)而具有优点如增加通道表面积，因此可产生更快、更可信、且控制更佳的半导体晶体管装置。然而随着尺寸缩小，源极与漏极接点面临关键尺寸一致性的问题。

发明内容

一实施例为半导体装置结构，其包括基板，具有自基板形成的多个鳍状物；第一源极/漏极结构，包括第一源极/漏极结构的第一外延层，接触鳍状物的第一鳍状物；第一源极/漏极结构的第二外延层，形成于第一源极/漏极结构的第一外延层上；第一源极/漏极结构的第三外延层，形成于第一源极/漏极结构的第二外延层上，且第一源极/漏极结构的第三外延层包括中心部分与高于第一源极/漏极结构的第三外延层的中心部分的边缘部分；以及第一源极/漏极结构的第四外延层，形成于第一源极/漏极结构的第三外延层上；第二源极/漏极结构，与第一源极/漏极结构相邻并包括第二源极/漏极结构的第一外延层，接触鳍状物的第二鳍状物；第二源极/漏极结构的第二外延层，形成于第二源极/漏极结构的第一外延层上；第二源极/漏极结构的第三外延层，形成于第二源极/漏极结构的第二外延层上，第二源极/漏极结构的第三外延层包括中心部分与高于第二源极/漏极结构的第三外延层的中心部分的边缘部分；其中第二源极/漏极结构的第三外延层的中心部分与边缘部分分别接触第一源极/漏极结构的第三外延层的中心部分与边缘部分；以及第二源极/漏极结构的第四外延层，形成于第二源极/漏极结构的第三外延层上；以及源极/漏极接点，覆盖第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构的第三外延层的所有边缘部分，且源极/漏极接点覆盖第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构的第三外延层的中心部分的一部分。

另一实施例为半导体装置结构，其包括基板；第一栅极结构，位于基板的第一区中；第二栅极结构，与第一区中的第一栅极结构相邻，其中第二栅极结构与第一栅极结构的隔有第一横向分隔距离。半导体装置结构包括第一源极/漏极结构，位于第一栅极结构与第二栅极结构之间，其中第一源极/漏极结构包括：第一源极/漏极结构的第一外延层，具有实质上钻石状；以及第一源极/漏极结构的第二外延层，接触第一源极/漏极结构的第一外延层，并具有第一中心部分与高于第一中心部分的第一边缘部分。半导体装置结构包括第二源极/漏极结构，位于第一栅极结构与第二栅极结构之间，其中第二源极/漏极结构包括：第二源极/漏极结构的第一外延层，为实质上钻石状；以及第二源极/漏极结构的第二外延层，接触第二源极/漏极结构的第一外延层，并具有第二中心部分与高于第二中心部分的第二边缘部分；第三栅极结构，位于基板的第二区中；第四栅极结构，与第二区中的第三栅极结构相邻，其中第四栅极结构与第三栅极结构的隔有第二横向分隔距离，且第二横向分隔距离小于第一横向分隔距离。半导体装置结构包括第三源极/漏极结构，位于第三栅极结构与第四栅极结构之间，其中第三栅极结构的第一外延层为实质上棒状。