[发明专利]窗口组件、包括窗口组件的成像系统、制造成像系统的方法及包括成像系统的电子装置在审
申请号: | 202210432874.9 | 申请日: | 2022-04-22 |
公开(公告)号: | CN115966577A | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 李斗铉;金镇明;宋炳权;梁有盛;李丙圭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/76 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙尚白;倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 窗口 组件 包括 成像 系统 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种窗口组件,包括:
透明窗口层;以及
第一编码掩模层,被设置在所述透明窗口层的第一表面上,所述第一编码掩模层具有第一形状,所述第一形状被配置为改变穿过所述窗口组件的光的第一性质。
2.根据权利要求1所述的窗口组件,其中,所述第一编码掩模层包括:包括相位调制超图案的超表面。
3.根据权利要求2所述的窗口组件,其中,所述超表面还包括幅度调制超图案。
4.根据权利要求1所述的窗口组件,还包括:第二编码掩模层,被直接设置在所述透明窗口层的第二表面上,所述第二编码掩模层具有第二形状,所述第二形状被配置为改变穿过所述窗口组件的光的第二性质。
5.根据权利要求4所述的窗口组件,其中,所述第一编码掩模层和所述第二编码掩模层都包括相位调制编码掩模层。
6.根据权利要求5所述的窗口组件,其中,所述第一编码掩模层和所述第二编码掩模层中的每一个包括相应的多个相位调制超图案。
7.根据权利要求4所述的窗口组件,其中,所述第一编码掩模层和所述第二编码掩模层中的一个包括相位调制编码掩模层,并且所述第一编码掩模层和所述第二编码掩模层中的另一个包括幅度调制编码掩模层。
8.根据权利要求7所述的窗口组件,其中,所述相位调制编码掩模层包括多个相位调制超图案,并且所述幅度调制编码掩模层包括多个幅度调制超图案。
9.根据权利要求1所述的窗口组件,还包括:滤光层和抗反射膜,顺序堆叠在所述透明窗口层的第二表面上,所述第二表面与所述第一表面相对。
10.根据权利要求4所述的窗口组件,还包括:滤光层和抗反射膜,顺序堆叠在所述第二编码掩模层上。
11.根据权利要求10所述的窗口组件,其中,所述第一编码掩模层和所述第二编码掩模层都包括相位调制编码掩模层,并且幅度调制编码掩模层还被设置在所述第二编码掩模层上。
12.根据权利要求1所述的窗口组件,还包括:所述透明窗口层的第一表面与所述第一编码掩模层之间的光分离层。
13.根据权利要求4所述的窗口组件,还包括:所述透明窗口层的第一表面与所述第一编码掩模层之间的光分离层。
14.根据权利要求1所述的窗口组件,其中,所述透明窗口层对于长波红外LWIR线是透明的,并且所述第一编码掩模层包括改变所述LWIR线的相位的多个超图案,并且
其中,所述多个超图案被配置为恢复穿过所述窗口组件的光中所包括的图像。
15.根据权利要求4所述的窗口组件,其中,所述透明窗口层对于LWIR线是透明的,并且所述第一编码掩模层包括改变所述LWIR线的相位的多个超图案,并且
其中,所述多个超图案被配置为恢复穿过所述窗口组件的光中所包括的图像。
16.根据权利要求14所述的窗口组件,其中,所述透明窗口层包括硅层,并且所述多个超图案包括非晶硅图案。
17.一种成像系统,包括:
不包括透镜的根据权利要求1所述的窗口组件;以及
图像传感器,被配置为:接收穿过所述窗口组件的光并且生成电信号以用于生成图像。
18.根据权利要求17所述的成像系统,其中,所述图像传感器包括互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210432874.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的