[发明专利]堆叠三维异质存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：静态随机存取存储器(SRAM)单元的阵列和包括多个第一键合触点的第一键合层；

第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：包括动态随机存取存储器(DRAM)单元的阵列的多个DRAM堆叠体和包括多个第二键合触点的第二键合层；

第三半导体结构，所述第三半导体结构包括：NAND存储单元的阵列、包括多个第三键合触点的第三键合层、和包括多个第四键合触点的第四键合层，其中，所述第三键合层和所述第四键合层处于所述NAND存储单元的阵列的两侧；

第一键合界面，所述第一键合界面处于所述第一键合层和所述第三键合层之间，所述第一键合触点在所述第一键合界面处与所述第三键合触点相接触；以及

第二键合界面，所述第二键合界面处于所述第二键合层和所述第四键合层之间，所述第二键合触点在所述第二键合界面处与所述第四键合触点相接触。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述第二半导体结构包括：

衬底；

处于所述衬底之上的所述DRAM单元的阵列；以及

处于所述DRAM单元的阵列之上的所述第二键合层。

3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述第三半导体结构包括：

处于所述第二键合层之上的所述第四键合层；

处于所述第四键合层之上的所述NAND存储单元的阵列；以及

处于所述NAND存储单元的阵列之上的所述第三键合层。

4.根据权利要求3所述的3D存储器件，其中，所述第一半导体结构包括：

处于所述第三键合层之上的所述第一键合层；

处于所述第一键合层之上的所述SRAM单元的阵列；以及

处于所述SRAM单元的阵列之上并且与所述SRAM单元的阵列相接触的半导体层。

5.根据权利要求4所述的3D存储器件，还包括处于所述半导体层之上的焊盘引出互连层。

6.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述第一半导体结构包括：

衬底；

处于所述衬底上的所述SRAM单元的阵列；以及

处于所述SRAM单元的阵列之上的所述第一键合层。

7.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中，所述第三半导体结构包括：

处于所述第一键合层之上的所述第三键合层；

处于所述第三键合层之上的所述NAND存储单元的阵列；以及

处于所述NAND存储单元的阵列之上的所述第四键合层。

8.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，所述第二半导体结构包括：

处于所述第四键合层之上的所述第二键合层；

处于所述第二键合层之上的所述DRAM单元的阵列；以及

处于所述DRAM单元的阵列之上并且与所述DRAM单元的阵列相接触的半导体层。

9.根据权利要求8所述的3D存储器件，还包括处于所述半导体层之上的焊盘引出互连层。

10.根据权利要求1中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述第一半导体结构、所述第二半导体结构和所述第三半导体结构中的至少一个半导体结构还包括外围电路。

11.根据权利要求1中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述3D存储器件不包括处理器。

12.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述NAND存储单元的阵列包括3D NAND存储串或二维(2D)NAND存储单元中的至少一项。