[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板在审
申请号: | 202210438487.6 | 申请日: | 2022-04-25 |
公开(公告)号: | CN114823733A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 卢昭阳;郑浩旋 | 申请(专利权)人: | 长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人: | 金云嵋 |
地址: | 410000 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板以及依次形成在所述衬底基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和钝化层;其特征在于,
所述衬底基板包括显示区和环绕所述显示区设置的非显示区;
所述第一金属层包括位于所述非显示区上薄膜晶体管的第一栅极,所述第二金属层包括位于所述非显示区上薄膜晶体管的第一极和第二极,所述第一极和所述第二极间隔设置,所述第一极与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第一电容;
所述阵列基板还包括位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的电极层,所述电极层包括位于所述非显示区的补偿电极,所述补偿电极与所述第一极通过第一过孔电连接,且所述补偿电极与所述第一极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第二电容。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述补偿电极与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一过孔与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影不存在交叠。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一极在所述衬底基板上正投影的内部。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述补偿电极在所述第一极上的交叠面积与所述第一极在所述第一栅极上的交叠面积的比值范围为0.7-1。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述阵列基板还包括位于非显示区中的时钟信号线,所述时钟信号线与所述第二极连接;
所述第一过孔设于所述非显示区中所述钝化层靠近所述时钟信号线的一侧。
7.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括平坦化层,所述平坦化层设于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧,所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧设有所述补偿电极。
8.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一衬底基板,所述衬底基板包括显示区以及环绕所述显示区设置的非显示区;
在所述衬底基板上形成第一金属薄膜并通过第一道光罩制程形成第一金属层,所述第一金属层包括形成于所述非显示区上薄膜晶体管的第一栅极;
在所述第一金属层和所述衬底基板上覆盖形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层形成第二金属薄膜,并通过第二道光罩制程形成第二金属层,所述第二金属层包括形成于所述非显示区上薄膜晶体管的第一极和第二极,所述第一极和所述第二极间隔设置,所述第一极与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第一电容;
在所述第二金属层和所述第一绝缘层上覆盖钝化层,通过第三道光罩制程形成第一过孔,所述第一过孔贯穿所述钝化层并暴露出部分所述第一极;
在所述钝化层上形成电极层,并通过第四道光罩制程形成补偿电极,所述补偿电极通过第一过孔与所述第一极电性连接,所述补偿电极与所述第一极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第二电容。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在形成所述补偿电极之前还包括如下步骤:
在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧形成平坦化层,并通过所述第三道光罩制程在所述平坦化层上形成所述第一过孔。
10.一种显示面板,其特征在于,包括对置基板和权利要求1-7任一项所述的阵列基板,所述对置基板与所述阵列基板对盒设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司,未经长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210438487.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型高强度的车用云母漆
- 下一篇:一种锚设备的刹车限位装置间隙的计算方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的